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公开(公告)号：CN113990790B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111594258.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/50
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合装置和键合方法。所述键合装置包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件；晶圆承载台，用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值，驱动承载的晶圆移动，以使第二管芯对准第一管芯；键合组件，用于键合第一管芯和第二管芯；该键合装置还包括第三对准组件，位于晶圆承载台相对远离键合组件的一侧，用于确定已完成键合的第一管芯的位置与第二管芯的位置之间的第三偏差值；键合组件，还用于在第三偏差值大于预设阈值时，解键合第一管芯与第二管芯。
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公开(公告)号：CN114248199B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111421851.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 强一半导体(上海)有限公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置，包括具有一定厚度的吸附本体，具有上下两个端面。吸附本体的上端面作为吸附抛光头的上吸附区，下端面作为吸附晶圆的下吸附区；内部设有气流通道。上吸附区开设有多组同心圆凹槽，圆凹槽均与气流通道连通；下吸附区开设有多个吸附孔，吸附孔均与气流通道连通；吸附孔呈同心圆状分布，同一圈上相邻两吸附孔之间的间距相同，且该间距由内圈向外圈梯度递减；下吸附区的边缘处设有密封圈，下端面向下凸出，作为晶圆的定位环，凸出段与下吸附区共同界定形成一用于安装晶圆的空间，凸出段的下端面高于或者持平于晶圆的下端面；密封圈与最外层吸附孔之间设有一隔离槽，隔离槽与气流通道连通。
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公开(公告)号：CN117446871B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN116072607A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310210873.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/768 , H01L25/065
Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法、电子设备。所述形成方法，包括：提供第一晶圆，具有相对的第一面和第二面；在所述第一晶圆中形成第一导电盲孔结构，从所述第一面显露；在所述第一面键合包括第二晶圆在内的至少一个晶圆，所述第二晶圆具有朝向所述第一面的第三面和与所述第三面相对的第四面、且包括第二导电盲孔结构；对所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别进行刻蚀，以形成第一导电通孔结构、和第二导电通孔结构；所述第一导电通孔结构与所述第二导电通孔结构构成贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆的母通孔结构；在所述第一晶圆的第二面、所述第二晶圆的第四面分别形成导电走线层，用于电连接所述母通孔结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114248199A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111421851.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 强一半导体(上海)有限公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置，包括具有一定厚度的吸附本体，具有上下两个端面。吸附本体的上端面作为吸附抛光头的上吸附区，下端面作为吸附晶圆的下吸附区；内部设有气流通道。上吸附区开设有多组同心圆凹槽，圆凹槽均与气流通道连通；下吸附区开设有多个吸附孔，吸附孔均与气流通道连通；吸附孔呈同心圆状分布，同一圈上相邻两吸附孔之间的间距相同，且该间距由内圈向外圈梯度递减；下吸附区的边缘处设有密封圈，下端面向下凸出，作为晶圆的定位环，凸出段与下吸附区共同界定形成一用于安装晶圆的空间，凸出段的下端面高于或者持平于晶圆的下端面；密封圈与最外层吸附孔之间设有一隔离槽，隔离槽与气流通道连通。
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公开(公告)号：CN117446871A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN113990790A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111594258.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/50
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件；晶圆承载台，用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值，驱动承载的晶圆移动，以使第二管芯对准第一管芯；键合组件，用于键合第一管芯和第二管芯；该键合系统还包括第三对准组件，位于晶圆承载台相对远离键合组件的一侧，用于确定已完成键合的第一管芯的位置与第二管芯的位置之间的第三偏差值；键合组件，还用于在第三偏差值大于预设阈值时，解键合第一管芯与第二管芯。
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公开(公告)号：CN117316763A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311175038.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。
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公开(公告)号：CN117222305A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311316375.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：基底；第一电极层，位于基底上；第一电极层包括多个间隔分布的第一凸起结构；第一凸起结构的横截面积自顶面至底面逐渐增大；功能层，覆盖第一电极层和基底；第二电极层，位于功能层上；其中，在第一电极层和第二电极层的电场作用下，第一凸起结构的顶面与第二电极层之间能够形成导电通道。
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