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公开(公告)号：CN114050111B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202111358610.5
申请日：2021-11-16
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装方法及扇出型封装结构，采用圆片级封装工艺制备塑封晶圆，贴膜后切割成无数颗独立封装体；将封装体与被动元件焊接在预先准备的基板上；在基板空余位置涂上密封胶，在封装体背面涂敷散热胶，通过按压的方式将金属散热板安装在基板上；翻转安装完散热板的基板，在基板背面通过植球、回流工艺得到金属球。本发明充分利用扇出型封装工艺的特点，解决了被动元件结构与高温工艺不兼容以及芯片散热的问题，封装结构更稳定；并通过三维堆叠的方式有效利用了垂直方向的空间；实现功能芯片间的三维扇出型互联，用更小尺寸形成高密度互联，集成度更高且更有利于实现。
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公开(公告)号：CN118553698B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411018538.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/552 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种具有散热和电磁屏蔽功能的封装结构及封装方法，该封装方法是在重构晶圆的上表面形成第一散热金属层，第一散热金属层完全覆盖芯片背面和侧面；制备与第一散热金属层连接的无电性连接功能的散热区；后在顶层再布线金属层图形开口处形成第二散热金属层；切割后形成四边无引脚的单颗芯片封装结构，该封装结构具有散热和电磁屏蔽功能。本发明通过多层散热金属层辅助封装结构进行散热，提高了封装结构在工作过程中的散热效果；另外，在塑封层与芯片背面及侧面接触面之间增加一层散热金属层还能在芯片之间起到抗电磁干扰的作用。
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公开(公告)号：CN115863199B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211695534.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，包括：在完成凸块制造的晶圆上进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面；然后，测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该凸块旁再钝化层上钛屏蔽层的信号高度得到底部信号高度，底部信号高度减去顶部信号高度直接得到该凸点高度；最后，将钛屏蔽层去除。本发明提供的测量方法，通过在完成凸块制造的晶圆上溅射钛屏蔽层，钛屏蔽层覆盖在再钝化层表面、以及凸块的顶部，使光源无法穿透钛屏蔽层，准确抓取基准面，测量出最高信号高度和底部信号高度，通过该方法得到的高度为凸块真实的高度，以便正确评估工艺能力以及判断产品质量。
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公开(公告)号：CN119361534A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411262849.6
申请日：2024-09-10
Applicant: 东南大学 , 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种玻璃面板级嵌入式先进封装中铜柱型I/O与玻璃嵌入式封装体之间的互连工艺，属于半导体器件领域。该互连方法包括以下制作过程：制备玻璃嵌入式封装体；将RDL聚合物电介质层压在玻璃嵌入式封装体表面并固化；对RDL聚合物电介质层进行表面平整化处理，暴露芯片上的铜柱；使用标准半加成法工艺制作RDL层。该工艺在芯片有源面形成芯片到玻璃面板级嵌入式封装体的铜铜互连，与常见芯片至封装体的互连工艺相比，具有更短的互连路径和更低的互连损耗，具有实用价值。
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公开(公告)号：CN118841387A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411323535.2
申请日：2024-09-23
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367 , H10B80/00
Abstract: 本发明提供了一种液冷结构及具有液冷结构的芯片封装结构，液冷结构包括硅载板和分流器，硅载板内设有横向微通道和/或纵向微通道；横向微通道两端分别设有连通的第一分流器和第二分流器，第一分流器连通第一冷却液入口，第二分流器连通第一冷却液出口；纵向微通道两端分别连通的第三分流器和第四分流器，第三分流器连通第二冷却液入口，第四分流器连通第二冷却液出口。具有前述液冷结构的芯片封装结构，包括自上而下设置的HBM芯片、SOC芯片、硅载板、分流器和基板，分流器连通硅载板内部的横向微通道和/或纵向微通道，形成冷却通道。本发明采用了液冷微通道和分流器设计，有效地提高散热效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553698A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411018538.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/552 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种具有散热和电磁屏蔽功能的封装结构及封装方法，该封装方法是在重构晶圆的上表面形成第一散热金属层，第一散热金属层完全覆盖芯片背面和侧面；制备与第一散热金属层连接的无电性连接功能的散热区；后在顶层再布线金属层图形开口处形成第二散热金属层；切割后形成四边无引脚的单颗芯片封装结构，该封装结构具有散热和电磁屏蔽功能。本发明通过多层散热金属层辅助封装结构进行散热，提高了封装结构在工作过程中的散热效果；另外，在塑封层与芯片背面及侧面接触面之间增加一层散热金属层还能在芯片之间起到抗电磁干扰的作用。
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公开(公告)号：CN222741437U
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202421491358.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Inventor： 冯文杰
IPC: B25H7/04
Abstract: 本发明提供一种胶管标记位置装置，属于半导体封装技术领域，包括胶管基座和胶管标记笔，胶管基座用于将胶管固定，胶管标记笔用于在胶管上标记印记；胶管基座为长方体结构，胶管基座的上表面上具有一组胶管放置孔，胶管放置孔的侧边设置有一个供胶管标记笔通过的贯穿标记孔；圆柱状管体的工作端设置有标记笔尖，当胶管放入胶管放置孔内时，标记笔尖通过外力的作用往前延伸，从而在胶管上标记印记；能够快速对胶管需要标记的位置进行标记，而且精度提高。
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公开(公告)号：CN222690659U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202421371175.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的一种TCB多孔放置工具，于基座顶面设有用于吸附芯片的吸附台，吸附台凸出于基座顶面的高度为0.5mm；吸附孔设于吸附台的顶面。其通过设置若干个凹槽式的吸附孔，增强了对芯片的吸附力，提高了芯片焊接的稳定性；背面的负压孔互联保证了正面的吸附孔的吸力的均匀性，提高吸附的稳定性；通过降低吸附台的高度至0.5mm，在芯片焊接时，保留热量，减小热损失，有效避免了两颗芯片热压键合时互联区相互干扰，防止第二芯片焊接不良，进而改善因微凸块结合异常而带来的良率损失，具有很强的实用性和广泛地适用性。
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公开(公告)号：CN222684814U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202421398686.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Inventor： 傅东家
Abstract: 本实用新型公开了一种电镀线导电块自动夹紧装置，包括固定块、四个活动连接杆和两个电镀导电块连接杆；所述固定块上端面上两侧分别安装有两个平行的X方向滑轨，X方向滑轨上安装有对应的X方向滑块；所述固定块上端面安装有Z方向滑轨，Z方向滑轨上安装有Z方向滑块；四个活动连接杆分为两组，分别安装在Z方向滑轨两侧，活动连接杆一端安装在X方向滑块上，另一端安装在Z方向滑块上；所述电镀导电块连接杆呈L字型，电镀导电块连接杆一端安装在对应的两个X方向滑块上，另一端安装有对应的用于夹紧电镀线钢带的电镀线导电块。本实用新型使用寿命长、更加稳定。
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公开(公告)号：CN222440586U
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202420002729.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种提高倒装方形扁平无引脚封装产品散热性的封装结构，属于半导体封装技术领域，包括引线框架、芯片、散热盖和塑封料，芯片采用倒装的方式焊接在引线框架上，塑封料对芯片和引线框架进行塑封，塑封料位于芯片的位置设置有开口，供芯片裸露；芯片的裸露位置处设置有散热盖，散热盖与芯片之间设置有导热层；本发明不仅可以提高芯片表面的散热表现，工艺制程相对简单，不引用新设备，所使用的材料成熟稳定可靠，上表面凸型倒角设计的散热片一定程度上还能保证产品可靠性。
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