-
公开(公告)号:CN222440586U
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202420002729.1
申请日:2024-01-02
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种提高倒装方形扁平无引脚封装产品散热性的封装结构,属于半导体封装技术领域,包括引线框架、芯片、散热盖和塑封料,芯片采用倒装的方式焊接在引线框架上,塑封料对芯片和引线框架进行塑封,塑封料位于芯片的位置设置有开口,供芯片裸露;芯片的裸露位置处设置有散热盖,散热盖与芯片之间设置有导热层;本发明不仅可以提高芯片表面的散热表现,工艺制程相对简单,不引用新设备,所使用的材料成熟稳定可靠,上表面凸型倒角设计的散热片一定程度上还能保证产品可靠性。
-
公开(公告)号:CN221861641U
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202323327111.7
申请日:2023-12-07
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Inventor: 刘颖
IPC: H01L23/367 , H01L23/02
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高封装平整度的散热盖,包括散热盖本体,该散热盖本体罩在芯片外侧,散热盖的腔体区域与芯片之间设置有导热界面材料,散热盖底端通过封盖胶设置在基板上,所述散热盖本体的腔体区域和散热盖本体的底端内壁表面均设有若干均匀分布的凸起的网点;所述网点的高度为50~60μm。本实用新型能够提高封装平整度。
-
公开(公告)号:CN222440592U
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202420036907.2
申请日:2024-01-08
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , C25D3/46
Abstract: 本发明提供一种防止晶粒粘贴胶溢出的镀银框架及其组成的封装结构,属于半导体封装技术领域,镀银框架包括一组按照设计规则排布的框架单元,框架单元包括框架底材,框架底材的表面包括镀银区和裸铜区,裸铜区位于框架底材表面的中部,镀银区位于裸铜区的四周;裸铜区上设置有一圈环形凸起部;环形凸起部为采用电镀方式生成的铜环;本发明通过在裸铜区上建立环形凸起部,能够有效阻止液态晶粒粘贴胶向镀银区扩散。
-
公开(公告)号:CN221727096U
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202323494085.7
申请日:2023-12-21
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直混装芯片封装结构,其包括框架以及设置于所述框架内的基板、第一芯片和第二芯片,基板设有容置腔,基板表面除容置腔以外的区域设有焊线手指;容置腔容纳第一芯片,容置腔底部设有金属开窗,第一芯片为倒装芯片,第二芯片为引线键合芯片,第一芯片倒装在容置腔内,且第一芯片与金属开窗形成电性连接;第一芯片背面为第二芯片的上片区,第二芯片叠放于第一芯片背面上方,第二芯片与焊线手指电性连接。本实用新型通过在基板上设置容纳底层芯片的容置腔来降低封装产品整体的高度,使封装产品整体更薄;还可以减少焊线金线的长度,进而减少金线用量,节约成本。
-
公开(公告)号:CN221861584U
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202323459970.1
申请日:2023-12-19
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种提高FCBGA封装平整度的散热盖及其组成的封装结构,属于半导体封装技术领域,包括芯片区域和基板区域,散热盖与芯片区域接触的部分设置有第一网点组,散热盖与基板区域接触的部分设置有第二网点组;第一网点组和第二网点组结构一致,为一组网状阵列排布的凸点,第一网点组上的凸点高度不高于两侧的散热盖相应的高度;一种包含散热盖的封装结构,包括基板,基板上倒装有芯片,芯片背面设置有散热盖,散热盖与基板通过粘合胶相连接,散热盖与芯片之间通过界面导热材料相连接;本发明通过网点的设置,为胶体提供支撑,不仅能够保证大尺寸散热盖的平整度而且在封装过程中对基板及芯片起到一定的保护作用。
-
-
-
-