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发明授权
一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法有权

公开(公告)号：CN115863199B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202211695534.1

申请日：2022-12-28

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 承士彬 , 夏美保

IPC: H01L21/66 , G01B11/02

Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，包括：在完成凸块制造的晶圆上进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面；然后，测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该凸块旁再钝化层上钛屏蔽层的信号高度得到底部信号高度，底部信号高度减去顶部信号高度直接得到该凸点高度；最后，将钛屏蔽层去除。本发明提供的测量方法，通过在完成凸块制造的晶圆上溅射钛屏蔽层，钛屏蔽层覆盖在再钝化层表面、以及凸块的顶部，使光源无法穿透钛屏蔽层，准确抓取基准面，测量出最高信号高度和底部信号高度，通过该方法得到的高度为凸块真实的高度，以便正确评估工艺能力以及判断产品质量。

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