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公开(公告)号:CN109983402A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201780070660.9
申请日:2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于,在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部,相位偏移膜使曝光光的相位反转,相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且,在半透过部与相位偏移部邻接的边界部,形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜,蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果,实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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公开(公告)号:CN118672050A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410299949.X
申请日:2024-03-15
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: G03F1/40
Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模的制造方法,能够防止孤立图案的静电破坏,用途不限于二元掩模。光掩模具有第一孤立图案(61a)、第二孤立图案(62a)和连接两孤立图案的桥接图案(63a)。光掩模的制造方法包括:在透射性基片(1)上形成具有导电性的半透射膜(2)和遮光膜(3)的工序;在遮光膜(3)上形成具有开口图案(4s)的第一抗蚀剂图案(4a)的工序;有选择地蚀刻遮光膜(3)而形成开口部(OP)的工序;在遮光膜上形成第二抗蚀剂图案(5a)的工序,该第二抗蚀剂图案具有覆盖开口部(OP)的桥接区域(53a)、第一孤立图案区域(51a)和第二孤立图案区域(52a);和蚀刻遮光膜和半透射膜,形成第一孤立图案、第二孤立图案和桥接图案的工序。
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公开(公告)号:CN117331277A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202310799318.X
申请日:2023-06-30
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法以及光掩模,该制造方法能够实现光掩模的高精细化以及能够形成的图案形状的多样化两者。本发明的光掩模的制造方法的要点在于,在构图工序中,形成第一次抗蚀剂图案,第一次抗蚀剂图案的一部分具有曝光量不同的区域,形成由下层膜3、中间膜4以及上层膜5的层叠部的第一区域10、下层膜3以及中间膜4的层叠部的第二区域12、和下层膜3的单层部的第三区域13构成的第一次图案PA。第一次图案PA通过追加工能够变化为图案形状不同的第二次图案PB~PD。
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公开(公告)号:CN115704993A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202210917102.4
申请日:2022-08-01
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: G03F1/72
Abstract: 本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法,包括:成膜工序,将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜;光致抗蚀剂膜形成工序,形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面;图案形成工序,形成光致抗蚀剂图案;以及遮光膜除去工序,将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜,使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液,除去第二遮光膜(21)的一部分。
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公开(公告)号:CN111279552A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201880068492.4
申请日:2018-11-02
Abstract: 本发明为LC共振天线,所述LC共振天线具备:电感器层,其设有线圈状的电感器;电容器层,其在该电感器的线圈中心的轴线方向上层叠于该电感器层,在所述电容器层上设有与所述电感器连接的电容器,该电容器具备一对电极板,该一对电极板以在所述层叠方向上相互隔开间隔的状态平行排列。
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公开(公告)号:CN108693697B
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201810227081.7
申请日:2018-03-19
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域,上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部,上述相移膜使曝光光的相位偏移,而且,上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1~8%。在上述边界部,曝光光的强度分布急剧变化,能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号:CN109075447A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780023194.9
申请日:2017-04-12
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor: 小林英树
IPC: H01Q7/00 , G06K19/077 , H04B5/02
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以简单的结构谋求天线效率提高的RFID标签。具有:用于与读写器进行信号的收发的天线(3);和连接有该天线(3)的IC芯片(1),在与形成有天线(3)的绝缘层上的外周端缘相比的内侧部分具有多个连接端子(5A、5B),将绝缘层上的外周端缘与多个连接端子(5A、5B)之间的距离作为内外方向的宽度,在绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域具有环状的天线形成区域,天线(3)以多个连接端子中的一个连接端子(5A)作为起点,并以剩余的连接端子中的一个连接端子(5B)作为终点,以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状。
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公开(公告)号:CN118915373A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411261938.9
申请日:2021-04-26
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法和光掩模。在该光掩模的制造方法中,准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件,对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光,形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后,选择性地去除第一区域,蚀刻上层膜。之后,选择性地去除第二区域,蚀刻半透射膜,且蚀刻上层膜和中间膜。之后,去除第三区域。
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公开(公告)号:CN115443161B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202080100019.7
申请日:2020-04-20
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够搬运的抗癌剂容器,其用于防止在进行使用清洗液的系统清洗时,由于因拆下连接器的操作产生的药液漏出而对人体的暴露、感染。提供一种带防药剂暴露功能的加压式药品注入器,其包括系统清洗功能,该带防药剂暴露功能的加压式药品注入器的特征在于,包括:具有药液填充口和药液开出口的贮存器;加压变形部件,通过药液注入而使所述药液收纳部产生加压变形,并通过加压变形恢复的力挤出药液;流量控制部件,通过阻力来调整药液的流量;系统清洗接口,具有清洗液注入口、药液填充口和液体排出口;壳体,内含所述贮存器、所述加压变形部件和所述注入系统清洗接口,所述壳体在所述药液填充口、所述药液排出口、所述清洗液注入口的附近处分别具有开口部,填充好的药液从贮存器的所述药液填充口被填充至所述加压变形部件,并从所述贮存器的药液排出口经由所述流量控制部件向容器外部移动。清洗液从配置于所述流量控制部件的下游的清洗接口的注入口注入,并向容器外部移动。清洗接口周边完全被灭菌密封件覆盖,因此清洗接口注入口到使用时为止都保持清洁。
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