-
公开(公告)号：CN100451162C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510095459.5
申请日：2005-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。
-
公开(公告)号：CN101240451A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710190079.9
申请日：2007-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法，在氢化物气相外延生长系统中，先在衬底上生长GaN薄膜，再采用HCl腐蚀的方法将GaN厚膜中薄膜表面进行腐蚀，腐蚀的步骤是：停止GaN薄膜生长，将生长温度降低至700－950℃，通入HCl气体，HCl流量从5sccm到50sccm对HVPE GaN进行原位腐蚀，时间从3到60分钟；然后再将生长温度提升至最初1000－1100℃，继续进行GaN的HVPE生长；重复上述腐蚀和继续生长过程，直至生长到合适厚度的GaN薄膜。
-
公开(公告)号：CN101158034A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
-
公开(公告)号：CN1333438C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510037733.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物Ⅰ由进气管1输入，反应物Ⅱ由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物Ⅰ和反应物Ⅱ接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。
-
公开(公告)号：CN1288721C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310106425.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4-10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1870299A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610085590.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/40 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。
-
公开(公告)号：CN1264200C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310106426.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道，包括一路金属镓源-HCl-N2管道，并将反应物GaCl-N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
-
公开(公告)号：CN1794419A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510095245.8
申请日：2005-11-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650－800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
-
公开(公告)号：CN1761080A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
-
公开(公告)号：CN1599031A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041436.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11－20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
176
records
(took 0.034 seconds)
