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公开(公告)号：CN1761080A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100418240C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN100344006C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN1763268A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN100378255C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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