公开(公告)号：CN1333438C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200510037733.3

申请日：2005-02-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 顾书林 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  刘松明 ,  张荣 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物Ⅰ由进气管1输入，反应物Ⅱ由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物Ⅰ和反应物Ⅱ接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。

公开(公告)号：CN1681088A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510037733.3

申请日：2005-02-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 顾书林 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  刘松明 ,  张荣 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。