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公开(公告)号：CN103279921A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310184435.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于精密计量仪器技术领域，具体涉及一种图像嵌入式处理系统及低照度图像光点获取与定位方法。本发明基于CMOS或CCD成像器件获取低照度图像，构建以FPGA、DSP及DDR3为主芯片的嵌入式图像处理系统。在算法上，应用形态学滤波算子和中值滤波算子相结合滤波算法，实现对图像进行滤波；同时，设计针对低照度图像特点的全局图像动态范围调节器及局部特征对比度的增强器。在光点检测与定位方法上，先对图像进行划分，利用区域投影算法，对光点进行快速检测及初步定位，再锁定的检测区域进行灰度拟合处理，计算出目标的亚像素级位置坐标。本发明具有实时性强、准确性高等特点，适合低照度成像器件图像目标检测与定位。
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公开(公告)号：CN102607407A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210071911.4
申请日：2012-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01B9/00
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，具体为一种基于望远镜的多功能数字光电测量系统。该系统由望远镜、OLED微显示器、微显示器照明系统、CCD光电探测器和计算机系统组成；计算机系统分别与OLED微显示器和CCD光电探测器连接，OLED微显示器分别与望远镜和微显示器照明系统连接；其中，OLED微显示器作为图像源，代替传统的利用光源照射分划板产生图像，通过计算机系统提供数字分化图像到OLED微显示器上，构成数字光学分划；CCD光电探测器用来实现光电转换；计算机系统包括读出电路、数据处理系统、信号图像处理与分析算法软件。本发明利用OLED显示器使多功能数字测量望远镜系统体积小、质量轻、功耗低、制造成本更低。
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公开(公告)号：CN101983838A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010506393.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 复旦大学 , 上海现代先进超精密制造中心有限公司
Abstract: 本发明属于现代光学加工技术领域，具体为一种基于智能数控平台的铣磨抛光装置。该装置由工业机器人及其控制模块、驱动模块、人机交互界面、工作组件、抛光冷却液循环控制系统以及吸盘夹具构成。其中，控制模块和驱动模块控制并驱动工业机器人的空间移动与空间定位，从而控制工作组件即磨削/抛光模块的工作状态；控制模块也控制人机交互界面，同时控制抛光液冷却液循环控制系统的搅拌装置、温度控制装置和输送装置；吸盘夹具用于夹持加工工件。本发明造价低，且加工口径大，可加工面型广，更换磨头即可实现磨削和抛光两种功能。
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公开(公告)号：CN114578817B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210187309.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多传感器检测及多数据融合的智能搬运车的控制方法；该方法包括以下步骤：对双目深度相机进行参数标定及对红外、超声传感器距离校准；信息采集及预处理；将预处理得到的多源数据进行整合，搭建基于贝叶斯推理的数据处理模型，对多源数据进行重构，并根据权重进行数据融合；利用多源重构的数据，确定智能车与靶向目标的相对位置，对智能小车运动机械控制；通过双目实时图片以及智能小车速度数据，确定机械手抓取位置和靶向目标位置，反馈优化小车运动及机械手抓取位置。本发明利用多源数据融合算法提高大视场下多目标物理的精确识别，并控制机械抓手进行精准拾取，为智能无人车、功能分拣车等提供理论依据。
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公开(公告)号：CN117766398A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311791460.6
申请日：2023-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供了GAA器件的沟道刻蚀方法，包括：在衬底上形成若干鳍结构；形成第一图形化的掩膜层与第一保护结构；以第一图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀第一鳍结构的堆叠结构的顶端和侧壁的第一保护结构；以剩余的第一保护结构为掩膜，选择性刻蚀第一鳍结构中第二半导体层，形成第一沟道结构；形成第二图形化的掩膜层与第一保护层；剩余的第一保护结构与第一保护层形成第二保护结构；以第二图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀掉第二鳍结构中的堆叠结构的顶端和侧壁的第二保护结构；并以剩余的第二保护结构为掩膜，选择性刻蚀其中的第一半导体层，形成第二沟道结构。本发明提供的技术方案，实现了在同一衬底上进行混合沟道制备的工艺目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116799054A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310646525.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/36 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种具有pGaN插入结构的GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层、势垒层、源极金属层、栅极以及漏极金属层；一个或两个以上的第一P型插入结构，形成于P‑GaN层与漏极金属层之间靠近P‑GaN层的一侧，贯穿势垒层，且伸入沟道层的表层中；两个以上的第一P型插入结构沿第二方向依次排列；其中，栅金属层连接P‑GaN层与第一P型插入结构；第一P型插入结构中离子的掺杂浓度低于p‑GaN层中离子的掺杂浓度；隔离层；形成于第一P型插入结构与沟道层和势垒层之间；其中，一个或两个以上的第一P型插入结构分别与沟道层形成一PN结。该技术方案解决了如何在提高器件的击穿电压的同时，充分发挥GaN本征击穿电场的全部潜力的问题。
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公开(公告)号：CN116364538A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310440159.4
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件的制备方法，包括：提供一衬底；形成缓冲层、沟道层、势垒层、源极金属层以及漏极金属层；缓冲层、沟道层以及势垒层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上；源极金属与漏极金属沿第一方向排列于势垒层表面；第一方向垂直于缓冲层、沟道层以及势垒层的堆叠方向；形成第一介质层；第一介质层形成于部分势垒层的表面；在部分势垒层表面的第一介质层中注入固定正电荷，并激活固定正电荷；形成栅金属层；栅金属层形成于栅极区域的势垒层的上方。本发明提供的技术方案，解决了如何提高增强型氮化镓功率器件的输出电流密度和驱动能力的问题。
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公开(公告)号：CN116359249A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310367891.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/956 , G01N21/88
Abstract: 本发明属于晶圆检测技术领域，具体为基于TDI探测的线扫描暗场散射晶圆表面缺陷检测装置及方法。本发明检测装置包括照明光源、光束整形组件、运动控制组件、显微镜成像组件、CMOS图像传感器及计算机；光源发出光束经过光束整形组件入射到待测晶圆表面形成线光斑；运动控制组件控制晶圆的运动；显微镜成像组件收集待测晶圆的散射光；CMOS图像传感器将收集到的散射光转换为电信号进行成像并传输到计算机；计算机进行图像增强和缺陷提取。本发明通过线扫描，利用暗场散射原理收集晶圆表面缺陷的散射光，使用CMOS图像传感器对待测晶圆进行快速扫描成像，从而实现对晶圆表面缺陷的快速检测。本发明检测速度快，检测灵敏度高，具有重要实用意义。
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公开(公告)号：CN116247099A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211730768.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体管，包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区；围栅MOSFET器件包括衬底、第一源区以及第一漏区；第一源区与第一漏区中参杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区、第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子。该技术方案解决了围栅MOSFET器件的底部寄生沟道电流泄漏的问题，并且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在传统围栅MOSFET器件的底部并联了隧穿场效应晶体管TFET器件结构，可以实现围栅沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，以获得更优的超陡开关特性。
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公开(公告)号：CN116247095A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310211026.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/267
Abstract: 本发明提供了一种基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底，包括分别形成于所述衬底第一区域与第二区域的p+掺杂区与n+掺杂区；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述衬底表面相对的两侧区域；肖特基势垒二极管，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述衬底上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。
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