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公开(公告)号：CN118516738A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702870.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。
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公开(公告)号：CN118507632A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410565653.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/64 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种小间距LED阵列基座及其制备方法，包括：基板，所述基板的表面形成有按预设间隔呈周期性排列的LED阵列，所述LED阵列包括多个呈阵列排布的LED芯片单元；及热沉材料，所述热沉材料旋涂于所述LED阵列中LED芯片单元之间的间隙中。本发明利用溶液旋涂的方法在mini LED或micro LED阵列中LED芯片单元的间隙中填充金刚石微粉，并在LED芯片单元的四周紧密形成高热导的热沉，其热沉紧靠LED发光区，热传导效果好，实现小间距LED阵列基座较佳的散热效果。
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公开(公告)号：CN118166428A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410288962.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的坩埚装置，包括第一坩埚、及可拆卸式连接于所述第一坩埚内部的籽晶承载件，所述籽晶承载件上设置有衬底。所述籽晶承载件为可拆卸地设置于所述第一坩埚内的第二坩埚、及设置于所述第一坩埚内底部中心的凸台，所述衬底放置于所述凸台的上方；或所述籽晶承载件为设置于所述第一坩埚内底部中心的凹槽、及放置于所述凹槽的载盘，所述衬底放置于所述载盘上。本发明通过籽晶承载件的可拆卸结构设计和尺寸限定，可以实现整个GaN单晶生长过程衬底始终处于坩埚的中轴线上，在实现单晶均匀生长的同时确保单晶生长后容易取出，从而加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。
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公开(公告)号：CN110491978B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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公开(公告)号：CN117758367A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311793661.X
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法，包括反应釜和储槽；其中，储槽内盛装有熔体；反应釜内的顶部设置有用于将熔体雾化成微小液滴的雾化喷头和用于供氮气进入的进气口，雾化喷头通过第二管道与储槽连通，第二管道上设置有第二循环泵；反应釜内的底部设置有固定盘和第一管道，固定盘上放置有GaN籽晶，第一管道与储槽连通，第一管道上设置有第一循环泵。本发明通过将熔体雾化成微小液滴，使得雾化后的微小液滴可在反应釜的上部与通入的氮气充分的接触，快速实现氮离子的解离与混合，同时储槽的设计将升温过程中的熔体与GaN籽晶进行分离，防止升温不饱和状态熔体对GaN籽晶的腐蚀，影响后续成核，利于大范围推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387346A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310512094.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
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公开(公告)号：CN116377559A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310253879.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室的上部；生长室内设有支撑杆，支撑杆的上端套有涡轮，涡轮上安装有叶片，涡轮的上端设有圆台，圆台上设有凹槽，凹槽用于放置籽晶。本发明既实现氮离子浓度分布均匀，又能让氮化镓单晶衬底自动旋转，实现氮离子溶解与消耗的分离，让整个熔体系统实现循环流动，而循环流体又可以自动带动单晶衬底旋转，解决籽晶表面生长速率不均匀，氮化镓生长质量较低的问题。
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公开(公告)号：CN112968005B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN111155163B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN114335297A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111682183.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及LED封装技术领域，尤指一种LED透镜的丝印封装方法，包括如下步骤：LED芯片与LED基板完成电气连接；将丝印钢网与LED基板对位，向丝印钢网倒入无机粘合剂，进行丝印封装；取出完成丝印封装的LED基板，将透镜与LED基板进行贴合，获得无机封装LED结构；对无机封装LED结构进行检测后，再进行固化，从而形成LED的气密性封装结构。本发明采用无机气密封装焊接技术形成优化封装结构，提高LED出光效率。
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