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公开(公告)号：CN119254176A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299391.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。
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公开(公告)号：CN119227383A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411351418.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开了一种声表面波谐振器的热仿真方法、装置及存储介质，所述方法包括：构建热仿真传热模型；获取热仿真传热模型中两个相邻的第一结构层以及第二结构层；计算建模厚度与实际厚度之间的比值；根据比值确定第一结构层与第二结构层之间的热流差异系数；根据热流差异系数以及第二结构层的第二热导率，确定第二结构层沿横坐标方向的横轴热导率公式以及第二结构层沿纵坐标方向的纵轴热导率公式；根据横轴热导率公式以及纵轴热导率公式，确定声表面波谐振器的稳态温度仿真结果。本申请得到的仿真结果可以随不同支撑衬底的建模厚度收敛，从而提高了热仿真结果的准确率。
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公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
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公开(公告)号：CN115332404B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210933500.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成量子光源LED器件的制备方法，包括步骤：S1在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2在第一薄膜上沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3在第一金属图案上加工出第二光刻胶图案，腐蚀或刻蚀掉牺牲层，获得第三薄膜；S4：拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6使第二光刻胶图案与第二衬底充分粘接，得到第四薄膜；S7：在第四薄膜上沉积第三金属图案，得到混合集成量子光源LED器件。本发明的混合集成量子光源LED器件的制备方法，将光刻胶作为粘结剂将薄膜紧密地转移到其他材料衬底上，避免其脱落，工艺更简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577518B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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公开(公告)号：CN116837463B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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公开(公告)号：CN118249770A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410151067.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2)；位于所述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极由相同厚度或不同厚度的接地电极(4)和信号电极(5)组成或者由相同厚度或不同厚度的叉指电极(6)和反射栅(7)组成。本发明通过改变金属电极的厚度可实现谐振器对不同机电耦合系数、谐振频率以及声速的需求。
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公开(公告)号：CN118131391A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410057156.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种模式交叉抑制的集成光子芯片、制备方法器件及设备。该模式交叉抑制的集成光子芯片，包括：支撑衬底和设置在支撑衬底上的钽酸锂器件层；钽酸锂器件层的材质为X切型的钽酸锂；钽酸锂器件层中形成有光传输波导，光传输波导中至少部分波导为弯曲波导。通过采用X切型的钽酸锂在支撑衬底形成钽酸锂器件层，由于X切型的钽酸锂具有较小的双折射效应，从而不会在弯曲波导中出现的模式交叉效应，因此可以实现高品质因子的集成光子芯片。而且由于钽酸锂的制备成本较为低廉，因此还能够降低集成光子芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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