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公开(公告)号：CN112103158A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010848843.2
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种纳米二极管、其制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1：制备第二电极层：在衬底上处理第二电极材料形成第二电极层；S2：制备绝缘层：在所述第二电极层远离所述衬底一侧的表面上处理绝缘材料形成绝缘层；S3：制备第一电极层：在所述绝缘层远离所述第二电极层一侧的表面上处理第一电极材料形成第一电极层；S4：采用各向同性腐蚀工艺去除所述第一电极层和所述第二电极层之间的部分绝缘层，以使所述绝缘层不完全填充所述第一电极层和所述第二电极层之间的空间；本发明的纳米二极管不仅具有高功率和高频率响应优势，且同时具备低功耗、便于集成化的优点，符合未来集成电路的发展需求。
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公开(公告)号：CN111721710A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
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公开(公告)号：CN111720390A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910950177.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F15D1/00 , F16L55/045 , F16L55/055 , G01D3/028
Abstract: 本发明涉及检测设备技术领域，特别涉及一种流体流速稳定系统。包括：流速稳定腔和顶盖，所述流速稳定腔与所述顶盖密封连接；所述流速稳定腔的上部或所述顶盖上设有第一端口，所述第一端口与所述流速稳定腔连通；所述流速稳定腔的底部设有第二端口；所述第一端口和/或第二端口的截面积小于所述流速稳定腔的截面积。利用流体流速稳定系统，可以低成本高效的解决液体泵的流速不稳定的现象对流速敏感的传感器检测产生负面影响，并且不需要节流阀和压力表等昂贵设备的配合。通过在流速敏感的传感器加上稳流装置，消除传感器表面的流速变化，方便后端信号处理单元对传感器输出信号进行处理。
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公开(公告)号：CN108007580B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711447533.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN110687064A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875339.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器。红外探测器包括：所述红外探测器包括：n个检测单元和m个补偿单元，其中n≥1，m≥1；每个所述检测单元包括1个探测芯片和1种第一类超材料滤波结构；每个补偿单元包括1个探测芯片和1种第二类超材料结构。本申请实施例所述的红外探测器，把多个超材料滤波结构集成设置在一个红外探测器上，超材料滤波结构替代传统滤光片的功能，一种超材料滤波结构通过一种待测气体对应的红外光，多种气体对应多种超材料滤波结构与多个探测芯片，实现了红外探测器芯片级的集成，提高了传感器的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110143567A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910412266.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用，包括：S1：提供一种半导体单晶衬底，在该衬底表面制备出薄膜掩膜，并刻蚀出窗口阵列，露出窗口阵列内的半导体单晶衬底表面；S2：采用湿法技术腐蚀该半导体单晶衬底表面，形成微纳金字塔结构；S3：移除薄膜掩膜，继而在半导体单晶衬底的表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑介质薄膜；S4：对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及S5：采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放所述黑介质薄膜和支撑膜结构，即得。本发明采用微加工技术，以微纳金字塔结构为模，批量制备出悬空的黑介质薄膜，该薄膜在未来可广泛应用于增强光吸收辐射和减少热量损耗的光探测和光源等领域。
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公开(公告)号：CN109504740A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811416641.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/682
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，特别是涉及一种循环放大检测方法及其用途。本发明提供一种检测试剂盒，包括：锁匙双链DNA分子、第一发卡结构DNA分子、第二发卡结构DNA分子……第N发卡结构DNA分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有荧光分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有标记分子。本发明公开一种基于发卡结构DNA分子依次打开形成复合核酸结构的循环放大策略并联合微阵列技术的荧光传感器，用于多种分子的检测。
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公开(公告)号：CN109427908A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710734604.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01N27/414 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，直至暴露出基底；腐蚀上述结构，得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区；于硅纳米线沟道表面沉积介质层；于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案，本发明的生物传感器具有环栅式结构，可实现360°环绕式感应，硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构，可减小器件尺寸，实现信噪比的提升，省略源漏掺杂的步骤，工艺简单适于批量生产。
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公开(公告)号：CN104810411B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410035654.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光导型紫外探测器及其制作方法，该紫外探测器从下而上依次由绝缘衬底、紫外敏感薄膜、金属电极和石墨烯透明梳齿电极构成，其中绝缘衬底可采用石英玻璃片或表面生长或沉积了氧化硅或氮化硅等绝缘介质的硅片，紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种薄膜材料，长条状金属电极由金或铂构成，石墨烯透明梳齿电极覆盖在紫外敏感薄膜和金属电极上方。由于采用石墨烯透明梳齿电极结构，与金属梳齿电极相比较，探测器的紫外辐射透过率高，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN104022046B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410264998.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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