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公开(公告)号：CN209329167U
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201822162829.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208461784U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201820613792.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本实用新型在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206788402U
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201720283881.1
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种等离激元波导带通滤波器，由介质层、金属膜和2个以上的纳米狭缝单元组成；金属膜覆设在介质层的表面；每个纳米狭缝单元均呈工字形,并由2个水平方向延伸孔和1个垂直方向延伸孔组成，垂直方向延伸孔的两端分别与水平方向延伸孔相接；2个水平方向延伸孔完全相同；所有纳米狭缝单元均贯通地开设在金属膜上，并在金属膜上呈矩阵形式规则排列。本实用新型具有光透射率高、体积小巧、易于集成，选频特性好的特点；同时可以通过改变水平和/或垂直方向延伸孔的尺寸来改变选频范围和透射系数。
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公开(公告)号：CN206422040U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041157.8
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN216284931U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122754551.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209589089U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201821559766.3
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本实用新型提出了一种三孔缝结构的传感器，解决了现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题，采用包括三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面；所述超表面的形状为规则几何形状，超表面内平行等间距对称的设置有三个矩形孔缝；所述超表面的材质为金属的技术方案，可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204882920U
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201520608704.7
申请日：2015-08-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本实用新型为内嵌金属圆柱的孔阵列周期结构的等离激元滤波器，金属膜有排列成为孔阵列的贯通金属膜的多个相同的圆孔，孔内介质为空气，单位周期的长宽相等。平面光由上或下垂直入射。每个孔中均嵌有一个金属圆柱，金属圆柱的直径小于孔径，二者有间隙，较佳为二者中心线重合。圆柱高度小于或等于孔的高度，圆柱的顶面和底面均不超出金属膜的上、下表面，较佳为柱顶面与膜的上表面相平齐。当圆柱的高度小于孔高度，下方加调整位置的介质衬垫。介质衬垫与金属圆柱直径相同的介质圆柱，且与金属圆柱中心线重合。本新型与现有孔阵列等离激元滤波器相比，光透射率增强，调节金属圆柱的材质、位置、半径、高度结构参数，可选择透射峰的位置。
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公开(公告)号：CN215220737U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202121197794.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/109
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米棒异质结光电探测结构，包括硅基底、二氧化硅层、若干组纳米棒异质结和源漏电极，所述二氧化硅层设置在所述硅基底上，所述纳米棒异质结均铺在所述二氧化硅层上方，所述源漏电极设置在所述纳米棒异质结的两侧，通过局域表面等离激元共振现象，当光照射在微纳结构上，形成局域表面等离激元共振，在等离激元诱导下，电子从金属中直接跃迁到半导体材料导带中，这种方式能够有效避免载流子转移过时弛豫、复合、束缚等过程的能量损失，从而解决了传统常规热电子跨越势垒转移途径热电子转移时所产生较高的能量损失的技术问题。
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公开(公告)号：CN214625089U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202121000154.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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