公开(公告)号：CN215220737U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202121197794.7

申请日：2021-05-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  宋文轲 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李琦 ,  张法碧

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109

Abstract: 本实用新型公开了一种纳米棒异质结光电探测结构，包括硅基底、二氧化硅层、若干组纳米棒异质结和源漏电极，所述二氧化硅层设置在所述硅基底上，所述纳米棒异质结均铺在所述二氧化硅层上方，所述源漏电极设置在所述纳米棒异质结的两侧，通过局域表面等离激元共振现象，当光照射在微纳结构上，形成局域表面等离激元共振，在等离激元诱导下，电子从金属中直接跃迁到半导体材料导带中，这种方式能够有效避免载流子转移过时弛豫、复合、束缚等过程的能量损失，从而解决了传统常规热电子跨越势垒转移途径热电子转移时所产生较高的能量损失的技术问题。