公开(公告)号：CN101527320B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810183704.1

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于：降低薄膜晶体管的截止电流；提高薄膜晶体管的电特性；提高使用薄膜晶体管的显示装置的图像质量。本发明提供一种薄膜晶体管，包括：在栅电极上隔着栅极绝缘膜设置在不到达该栅电极的端部的内侧区域的半导体膜；至少覆盖半导体膜的侧面的膜；以及形成在覆盖半导体膜的侧面的膜上的一对布线，其中，半导体膜中添加有用作供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN102842585A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210283542.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3674 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101383290B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN1915572B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN101884112B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102509736A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110421039.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。

公开(公告)号：CN101266982B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810085387.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的目的在于不只是依赖于微细加工技术地实现半导体集成电路的高性能化。此外，本发明的目的还在于实现半导体集成电路的低耗电化。本发明提供一种半导体器件，其中在第一导电型的MISFET和第二导电型的MISFET中，单晶半导体层的晶面及/或晶轴互相不同。使在各个MISFET中向沟道长方向流过的载流子的迁移度增加地设定该晶面及/或晶轴。因为采用这种结构，流过MISFET的沟道的载流子的迁移度增加，所以可以实现半导体集成电路的工作的高速化。此外，可以低电压驱动，因此可以实现低耗电化。

公开(公告)号：CN102246310A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150030.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。

公开(公告)号：CN102077331A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124705.1

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平 ,  广桥拓也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。

公开(公告)号：CN102007585A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113806.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。