公开(公告)号：CN113658927B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202110791595.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 北京大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种可分区调控流量的散热结构，其通过调整入液管路与入液口的连接关系以及出液管路与出液口的连接关系，以及通过调整散热结构内不同区域的嵌入式微流道及歧管通道的结构特征和并行度来调整流阻，可以极大程度的减少调控流量所需要的压力调控结构数目。本发明的散热结构通过调节压力调控结构的压强数值，可以动态调控散热结构内不同区域的散热性能，相较于传统的单阀门流道结构，可以提升泵功的利用率，提升散热系统的能耗比。本发明针对散热结构内散热性能要求高的区域设计了小尺寸、高并行度、小流阻的歧管通道结构，在强化冷却性能的同时，较小流阻使得压降调控更为有效，增加了调制比例。另外，本发明还涉及所述散热结构的制备方法。

公开(公告)号：CN118315270B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410732790.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  杜建宇

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/52 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片，涉及电子制造技术领域，提供晶圆衬底，晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域；对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀，得到第一凹槽；对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀，得到填埋槽，填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度，填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度；将芯片填入填埋槽内，得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀，使填埋槽的边角略低于中心区域，得到边角形貌均匀的填埋槽，该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化，进而提高芯片的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN117747455B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410190422.3

申请日：2024-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/027

Abstract: 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。

公开(公告)号：CN118335628A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410734114.2

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杜建宇 ,  张驰 ,  武宏旭 ,  石上阳

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427

Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。

公开(公告)号：CN115275002B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202210842407.3

申请日：2022-07-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 李沛玥 ,  张盼 ,  王玮 ,  郭业昌

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带正电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高抑制型人工神经突触器件的性能。

公开(公告)号：CN115141800B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202210832461.X

申请日：2022-07-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  张毅

IPC: C12N5/078 ,  C12M1/12 ,  C12M1/00

Abstract: 本发明提供了一种自体血处理方法及装置，本发明实施例中的第一柔性微孔阵列滤膜和第二柔性微孔阵列滤膜的尺寸均可精确定义，可基于尺寸差异使用第一柔性微孔阵列滤膜有效去除自体血中的白细胞，使用第二柔性微孔阵列滤膜有效更换过滤后血液中的溶液成分，实现红细胞清洗，最后对清洗后的红细胞进行回收，实现自体血中白细胞/血浆高效去除。本发明实施例中的柔性微孔阵列滤膜具有微米量级的厚度(不大于10微米)，过滤时细胞行程显著变短，可有效减少红细胞受损伤可能性。本发明实施例还在柔性微孔阵列滤膜下方铺设了网状支撑结构，从而在不改变柔性微孔阵列滤膜的微观结构的前提下，提升了柔性微孔阵列滤膜可以承受的过滤强度。

公开(公告)号：CN112613248B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202011569072.X

申请日：2020-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  李炜豪

IPC: G06F30/28 ,  G06F30/3323 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明实施例提供了一种改进嵌入式微流体结构设计的方法和系统，所述方法包括：计算所述嵌入式微流体中各流道的流阻；基于流阻与电阻类似的特性，构建与所述仿真模型相似的等效电阻网络；将所述各流道的流阻和该嵌入式微流体的边界条件参数输入所述等效电阻网络，利用MATLAB对所述等效电阻网络进行仿真，优化电阻的阻值，获得所述电阻优化完成后的优化电阻；根据所述优化电阻，获得所述流道流阻的优化流阻，再根据所述优化流阻，调节所述微流体的流道设计，以减小同一时间段内通过各个散热流道的流量方差。本发明实施例提供的方法和系统，将微流体等效为电阻网络进行仿真，可以实现各类微流体的结构设计的自动改进，增强微流体的散热均匀性。

公开(公告)号：CN117531553A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311340117.X

申请日：2023-10-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  郭业昌 ,  王少峰 ,  李沛玥 ,  张盼

IPC: B01L3/00 ,  G01N33/50

Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及生化标志物分子的并行富集检测方法，所述芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、多个第二通道、第三通道和纳流通道，其中，所述第一通道上设有第一进液口；每个所述第二通道均设有检测区，并与所述第一通道连通；所述第三通道与第二进液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，所述纳流通道的一侧与第三通道连通，另一侧分别与多个第二通道连通。本申请微纳流控芯片通过并行第二通道设计，可实现数十乃至上百种生化标志物分子的同时富集检测，极大地降低了疾病筛查成本，为疾病的早期筛查、病情监测和治疗效果评估提供有力支持。

公开(公告)号：CN113804531B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202111059744.7

申请日：2021-09-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  浑婷婷 ,  刘姚萍

IPC: G01N1/30 ,  G01N1/31 ,  G01N33/533 ,  C12M1/42 ,  C12N13/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种细胞高活性染色方法，所述方法包括：将包含目标细胞的样本和特异性的直标抗体混合；通过电极对样本中的目标细胞进行电穿孔标记，在电穿孔过程中，特异性的直标抗体进入目标细胞，完成特异性标记；对完成特异性标记的目标细胞进行静置，以使目标细胞的细胞膜复原。在本发明中，利用电穿孔方法将特异性的直标抗体导入目标细胞的过程中，不会对细胞造成不可逆的破坏，在完成电穿孔操作之后，目标细胞的细胞膜在10分钟内即可复原，恢复高活性且标记特异性接近100％。

公开(公告)号：CN116705625A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310961493.4

申请日：2023-08-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  陈浪 ,  杜建宇 ,  张驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。