一种神经突触器件及其制备方法、电子设备

    公开(公告)号:CN113948634A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111058725.2

    申请日:2021-09-08

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 张盼 王玮 郭业昌

    Abstract: 本发明提供了神经突触器件及其制备方法、电子设备,神经突触器件包括硅衬底、纳米沟道、第一微米沟道、第二微米沟道、第一液体、第二液体、第一电极及第二电极等。纳米沟道和第一、第二微米沟道形成于硅衬底上。纳米沟道壁面沉积有氧化铝,纳米沟道两端分别连通第一、第二微米沟道,第一液体设置于第一微米沟道和纳米沟道内,第二液体设置于第二微米沟道和纳米沟道内,与第一液体在纳米沟道中形成互不相溶的界面。本发明通过水解氧化铝的方式在纳米沟道的外壁面形成正电荷,以基于表现出来的离子输运特征形成抑制型神经突触器件。本发明的神经突触器件具有工艺一致性好、性能更稳定以及成本低等优点,有利于神经突触器件的进一步集成。

    一种微纳流控芯片及生化标志物分子的分离方法

    公开(公告)号:CN117504956B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202311340169.7

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域,并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法,微纳流控芯片包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道,所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系统之间;所述第二通道与第二注液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构,能够实现复杂样品中生化标志物分子的无堵塞连续性分离,实现生化标志物分子的纯化,排除背景成分的干扰,提高了分析性能和检测灵敏度,具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势,适用于临床医疗诊断等领域,有助于提高疾病的诊断准确性和治疗效果。

    一种栅控微纳流控器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117504955B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202311337418.7

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域,特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法,栅控微纳流控器件包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极,所述第一通道与第一进液口连通;所述第二通道与第二进液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间;所述栅控电极与所述纳流通道间隔设置,适于调节所述纳流通道的离子选择功能。本发明提供的栅控微纳流控器件具备可调节的富集功能,可以根据不同的工作条件和需求,灵活地改变富集模式,从而满足不同的应用需求。

    用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片

    公开(公告)号:CN118458688A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410910279.0

    申请日:2024-07-09

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片,涉及检测芯片技术领域,提供晶圆基底,在其一侧形成原始功能层;在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案;以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理,形成多个原始功能结构;去除第一掩膜图案,以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理,形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀,在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构,有效提升光刻形成的目标功能结构的精度,通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备,进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。

    基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片

    公开(公告)号:CN117747601B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410190425.7

    申请日:2024-02-21

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片,涉及电子制造领域,包括:提供晶圆基底;对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理,在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽;将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内,以使APD单元与填埋槽的槽底键合,APD单元为APD芯片阵列或APD芯片,APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片;对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理,得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽,并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板,该制备方法在保证较高良率的同时,简化生成工艺流程,降低成本,实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。

    一种微纳流控芯片及生化标志物分子的分离方法

    公开(公告)号:CN117504956A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311340169.7

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域,并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法,微纳流控芯片包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道,所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系统之间;所述第二通道与第二注液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构,能够实现复杂样品中生化标志物分子的无堵塞连续性分离,实现生化标志物分子的纯化,排除背景成分的干扰,提高了分析性能和检测灵敏度,具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势,适用于临床医疗诊断等领域,有助于提高疾病的诊断准确性和治疗效果。

    一种液-液界面型忆阻器及兴奋型神经突触器件

    公开(公告)号:CN115275003A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210842412.4

    申请日:2022-07-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器,包括:存储第一液体的第一容器,存储第二液体的第二容器,以及位于第一容器和第二容器之间的工作层;其中,工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道;第一容器和第二容器的腔室尺寸,是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍,第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶,在纳米孔道中形成液‑液界面;纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带负电;随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变,液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道,能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应,可用于提高兴奋型人工神经突触器件的性能。

    一种液-液界面型忆阻器及抑制型神经突触器件

    公开(公告)号:CN115275002A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210842407.3

    申请日:2022-07-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器,包括:存储第一液体的第一容器,存储第二液体的第二容器,以及位于第一容器和第二容器之间的工作层;其中,工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道;第一容器和第二容器的腔室尺寸,是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍,第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶,在纳米孔道中形成液‑液界面;纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带正电;随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变,液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道,能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应,可用于提高抑制型人工神经突触器件的性能。

    一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113948636A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111064414.7

    申请日:2021-09-10

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 张盼 王玮 郭业昌

    Abstract: 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器,包括:衬底;纳米沟道,设置在所述衬底顶部;金属层,覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面;以及二氧化硅层,覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极,可有效防止漏电流对其他器件的影响,且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外,本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件,既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能,又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外,本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。

    微纳流控芯片及生化标志物分子的并行富集检测方法

    公开(公告)号:CN117531553B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311340117.X

    申请日:2023-10-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域,并具体涉及一种微纳流控芯片及生化标志物分子的并行富集检测方法,所述芯片包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、多个第二通道、第三通道和纳流通道,其中,所述第一通道上设有第一进液口;每个所述第二通道均设有检测区,并与所述第一通道连通;所述第三通道与第二进液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,所述纳流通道的一侧与第三通道连通,另一侧分别与多个第二通道连通。本申请微纳流控芯片通过并行第二通道设计,可实现数十乃至上百种生化标志物分子的同时富集检测,极大地降低了疾病筛查成本,为疾病的早期筛查、病情监测和治疗效果评估提供有力支持。

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