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公开(公告)号：CN116116221B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310082612.9
申请日：2023-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种多层通孔阵列滤膜、制备方法及应用，涉及先进制造与生物医学工程领域。所述多层微孔滤膜包含一体制备的具有不同孔径的多层聚合物膜，自上而下孔径递减的多层通孔阵列贯穿连通，流体自大孔层流入，小孔层流出。多层通孔阵列滤膜具有三维特点，可以首先利用小孔层实现样本中目标细胞和背景细胞的高效率富集与去除，再利用大孔实现对目标单细胞固定和限位，为后续开展单细胞操控和分析奠定基础。
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公开(公告)号：CN116116221A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310082612.9
申请日：2023-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种多层通孔阵列滤膜、制备方法及应用，涉及先进制造与生物医学工程领域。所述多层微孔滤膜包含一体制备的具有不同孔径的多层聚合物膜，自上而下孔径递减的多层通孔阵列贯穿连通，流体自大孔层流入，小孔层流出。多层通孔阵列滤膜具有三维特点，可以首先利用小孔层实现样本中目标细胞和背景细胞的高效率富集与去除，再利用大孔实现对目标单细胞固定和限位，为后续开展单细胞操控和分析奠定基础。
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公开(公告)号：CN114133611A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111289193.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种在聚合物材料表面制备纳米纤毛结构的方法。该方法可简单、快速且低成本地调控纳米纤毛的长度和密度分布。通过本发明方法制备的表面具有纳米纤毛结构的聚合物材料可实现对亚微米尺寸的目标物的俘获，因此可作为滤膜用于亚微米尺寸目标物的分离。本发明的纳米纤毛修饰可以实现对聚合物材料表面的亲疏水性扩展。本发明的纳米纤毛修饰还可以实现聚合物材料表面金属粘附性增强。
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公开(公告)号：CN118458688B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN118458689B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747601A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410190425.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板，该制备方法在保证较高良率的同时，简化生成工艺流程，降低成本，实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。
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公开(公告)号：CN113629020B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN114133611B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202111289193.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种在聚合物材料表面制备纳米纤毛结构的方法。该方法可简单、快速且低成本地调控纳米纤毛的长度和密度分布。通过本发明方法制备的表面具有纳米纤毛结构的聚合物材料可实现对亚微米尺寸的目标物的俘获，因此可作为滤膜用于亚微米尺寸目标物的分离。本发明的纳米纤毛修饰可以实现对聚合物材料表面的亲疏水性扩展。本发明的纳米纤毛修饰还可以实现聚合物材料表面金属粘附性增强。
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公开(公告)号：CN118458689A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN119314880A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411279136.0
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种柔性电子器件及其制备方法、柔性电子设备。该方法包括：提供基板；对基板的表面进行图形化，以形成埋入槽以及柔性槽；埋入槽的数量为多个，分别位于柔性槽的两侧；将芯片贴入埋入槽，芯片与埋入槽的侧壁之间存在缝隙；利用干膜层压工艺，将光刻材料压入柔性槽以及缝隙中，并形成覆盖在基板表面的光刻膜层；对光刻膜层进行图形化以及金属布线，以形成贴入埋入槽中的芯片的重布线层；去除在柔性槽中形成的柔性结构两侧多余的基板材料；对基板进行背部减薄，直至露出柔性结构。本申请中，通过在基板中制备柔性结构，能够将基板柔性化，从而实现电子器件的柔性化，满足较高性能电子器件的柔性化需求。
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