公开(公告)号：CN113629020B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202110712772.8

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113629020A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110712772.8

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113629019A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110712760.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN116598273A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310357664.2

申请日：2023-04-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  汪琪 ,  温博

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种硅基填埋扇出结构及其制备方法，该硅基填埋扇出结构包括硅衬底、至少一个芯片、介质层和金属布线层，硅衬底上表面上开设有凹槽；所述凹槽的侧壁和底面以及所述硅衬底的上表面上均覆盖一层Cu/Sn合金层；所述芯片置于所述凹槽内，所述芯片与所述凹槽的侧壁之间存在缝隙；所述介质层覆盖所述芯片的上表面及所述Cu/Sn合金层设置，且充填所述缝隙；所述介质层上开设有通向所述芯片和/或所述Cu/Sn合金层的通孔；所述金属布线层置于所述介质层上方且充填所述通孔。本发明基于硅基填埋扇出技术，采用Cu/Sn合金层作为黏附层，增强了射频系统的散热能力，且制备了完整的金属接地互连，确保射频信号的一致性。

公开(公告)号：CN113488431A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110565908.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供单层衬底结构；在所述单层衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述单层衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。

公开(公告)号：CN120012605A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510195184.X

申请日：2025-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  温博 ,  游汝康 ,  周元诚 ,  周涛

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/23 ,  G06F17/18 ,  G06N3/0985

Abstract: 本发明提供了一种向量拟合结合神经网络传递函数的MEMS建模方法，涉及微机电系统技术领域。本发明实施例基于向量拟合结合人工神经网络传递函数算法，可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线对应的拟合参数，进而得到具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线，对MEMS器件的建模过程进行快速、准确的模拟和分析，并且可以指导MEMS设计师进行器件优化。

公开(公告)号：CN120012521A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510195181.6

申请日：2025-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  温博 ,  游汝康 ,  周元诚 ,  周涛

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06F18/24 ,  G06F18/2135 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明提供了一种利用机器学习的MEMS器件建模及良率预测方法，涉及微机电系统技术领域。本发明中，可以采用预设采样方法，基于目标偏差确定多个待预测样本，再基于机器学习算法和待预测样本，预测得到对应的性能参数，从而可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的器件的性能，进一步对性能参数进行分析，确定对应的器件良率预测结果，最终得到不同偏差分布的器件参数对应的器件良率结果。从而可以对MEMS器件的制造过程进行快速、准确的模拟和分析，并识别和优化可能导致低良率的因素，实现关键工艺窗口的量化分析，降低规模生产中的良率迭代次数；并且可以帮助设计师预测MEMS器件的制造缺陷和失效模式，并在设计阶段进行相应的改进。

公开(公告)号：CN113488432A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110567371.8

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供复合衬底结构；在所述复合衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述复合衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。