公开(公告)号：CN113488432A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110567371.8

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供复合衬底结构；在所述复合衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述复合衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。

公开(公告)号：CN113629020A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110712772.8

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113629019A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110712760.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113488431A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110565908.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供单层衬底结构；在所述单层衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述单层衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。

公开(公告)号：CN113629020B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202110712772.8

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。