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公开(公告)号：CN113488431A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110565908.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供单层衬底结构；在所述单层衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述单层衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。
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公开(公告)号：CN112701097B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202011569057.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明实施例提供了一种嵌入式微流体冷却系统及硅基转接板，所述冷却系统包括：进液流道、进液分配流道、出液收集流道、毛细流道、进液口和出液口，所述进液流道连接所述进液分配流道，所述毛细流道连接所述进液分配流道和所述出液收集流道，所述进液口设置于所述进液流道上，所述出液口设置于所述出液收集流道上；所述进液分配流道的通道宽度逐渐减小；所述出液口到第一毛细流道端的距离为第一距离，所述出液口到第二毛细流道端的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。本发明实施例提供的冷却系统及硅基转接板，对嵌入式微流体的流道结构进行改进，在减少泵功率的同时使冷却效率和散热均匀性大大提高，进而提升对芯片的冷却效果。
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公开(公告)号：CN113594772A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110730105.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01R13/629 , H05K7/20 , H01R13/627
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，具体公开了一种电子设备用数据线及电子设备，包括：线壳；电学支路，用于双向传输电信号，电学支路的两端设置有用于与外部连接对象连接的第一连接头；供液管路，用于单向传输冷却液；排液管路，用于单向传输冷却液，至少部分电学支路、供液管路以及排液管路设置在线壳内，排液管路内冷却液的流动方向与供液管路内冷却液的流动方向相反，供液管路、排液管路的两端分别设置有用于与外部连接对象连接的第二连接头，供液管路、排液管路中的冷却液在外部连接对象处连通。本发明中的数据线在为电子设备进行供电的同时，通过供给电子设备冷却液使其内部温度高效的下降，显著提高电子设备的散热性能。
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公开(公告)号：CN113658927B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110791595.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/34
Abstract: 本发明涉及一种可分区调控流量的散热结构，其通过调整入液管路与入液口的连接关系以及出液管路与出液口的连接关系，以及通过调整散热结构内不同区域的嵌入式微流道及歧管通道的结构特征和并行度来调整流阻，可以极大程度的减少调控流量所需要的压力调控结构数目。本发明的散热结构通过调节压力调控结构的压强数值，可以动态调控散热结构内不同区域的散热性能，相较于传统的单阀门流道结构，可以提升泵功的利用率，提升散热系统的能耗比。本发明针对散热结构内散热性能要求高的区域设计了小尺寸、高并行度、小流阻的歧管通道结构，在强化冷却性能的同时，较小流阻使得压降调控更为有效，增加了调制比例。另外，本发明还涉及所述散热结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN112613248B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011569072.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/3323 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明实施例提供了一种改进嵌入式微流体结构设计的方法和系统，所述方法包括：计算所述嵌入式微流体中各流道的流阻；基于流阻与电阻类似的特性，构建与所述仿真模型相似的等效电阻网络；将所述各流道的流阻和该嵌入式微流体的边界条件参数输入所述等效电阻网络，利用MATLAB对所述等效电阻网络进行仿真，优化电阻的阻值，获得所述电阻优化完成后的优化电阻；根据所述优化电阻，获得所述流道流阻的优化流阻，再根据所述优化流阻，调节所述微流体的流道设计，以减小同一时间段内通过各个散热流道的流量方差。本发明实施例提供的方法和系统，将微流体等效为电阻网络进行仿真，可以实现各类微流体的结构设计的自动改进，增强微流体的散热均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488441A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110557128.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明涉及一种基于歧管通道盖板的封装结构，其包括:芯片，包括衬底和位于所述衬底顶部的嵌入式微流道；盖板,包括歧管通道、入液口和出液口；以及用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述盖板之间。本发明还涉及一种基于歧管通道盖板的封装结构的制备方法。本发明的封装结构包括嵌入歧管式微流道，具有低温工艺兼容性和高的散热效率。所述歧管式微流道具有流动距离短、流阻小和热阻小的优势，更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。
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公开(公告)号：CN113488432A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110567371.8
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供复合衬底结构；在所述复合衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述复合衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。
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公开(公告)号：CN113629020A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN113629019A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712760.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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