一种用于混合键合微区应力的监测方法

    公开(公告)号:CN119069461A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202410974555.X

    申请日:2024-07-19

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王玮 杨宇东 张驰

    Abstract: 本申请提供一种用于混合键合微区应力的监测方法。该方法包括:提供两个基础芯片;分别在两个所述基础芯片的键合面上形成混合键合的金属介质结构;将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构,得到两个目标基础芯片;将两个所述目标基础芯片进行混合键合,键合后监测应力表征结构的形变;根据所述应力表征结构的形变得到两个所述目标基础芯片混合键合微区的应力。本申请中,将用于混合键合的金属介质结构中的金属结构制作成了应力表征结构,在两目标芯片混合键合后,可以通过应力表征结构的形变来原位监测混合键合微区的应力,从而解决了混合键合微区应力难以原位在线监测的问题,可以实现混合键合微区应力变化的在线监测。

    一种用于混合键合微区应力表征的方法

    公开(公告)号:CN118969653A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410945124.0

    申请日:2024-07-15

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供一种用于混合键合微区应力表征的方法。该方法包括:提供两个基础芯片;分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层,得到介质结构;在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构,得到两个目标基础芯片;将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构,观察该混合键合结构中应力表征物的形变;根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。本申请中,在制作混合键合结构时将应力表征物制作在了其中,在两基础芯片混合键合后,可以通过应力表征物的形变来定量表征混合键合微区的应力,从而解决了混合键合微区应力难以准确定量表征的问题,可以实现混合键合微区应力变化的检测。

    一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置

    公开(公告)号:CN118315282B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410734128.4

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置,方法包括准备冷却基板和半导体器件;在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道;基于散热通道的刻蚀终点,在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道,使散热微通道与散热通道连通;将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧;在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜;将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内,并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法,解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。

    一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置

    公开(公告)号:CN118315282A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410734128.4

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置,方法包括准备冷却基板和半导体器件;在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道;基于散热通道的刻蚀终点,在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道,使散热微通道与散热通道连通;将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧;在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜;将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内,并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法,解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。

    一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备

    公开(公告)号:CN119028907A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411100922.X

    申请日:2024-08-12

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 陈浪 王玮 张驰

    Abstract: 本申请提供一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,提供衬底,在衬底的一侧形成第一键合层,并在其背离衬底的一侧形成第一硅基晶圆,对第一硅基晶圆进行刻蚀处理,形成多个贯穿第一硅基晶圆的第一硅通孔,并填充第一金属;在第一硅基晶圆背离衬底的一侧形成第二键合层,并在其背离第一硅基晶圆的一侧形成第二硅基晶圆,并对其进行刻蚀处理,形成多个贯通第二硅基晶圆的第二硅通孔,并填充第二金属得到纳米级硅通孔三维集成结构。通过上述方法可以实现纳米级硅通孔三维集成结构的制备,还为实现高密度、小型化、多功能集成提供了可能,满足了现代电子产品不断增长的需求。

    一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件

    公开(公告)号:CN118335628A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410734114.2

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件,方法包括选择功率器件,在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层;将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化;自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型;在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽;熔化所述磁性金属层,密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口,得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法,解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。

    一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置

    公开(公告)号:CN116705625A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310961493.4

    申请日:2023-08-02

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置,涉及半导体技术领域,该方法包括:将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面;对DAF膜进行刻蚀,制备得到多个盲孔,盲孔的深度为DAF膜的厚度;在DAF膜的表面沉积种子层,使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁;在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料,直至第一金属材料完全填充所述盲孔;去除DAF膜表面多余的金属材料,得到晶圆的DAF膜封装结构;利用DAF膜封装结构,将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔,在盲孔中填充第一金属材料,实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱,利用金属柱的导热性,提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。

    慢性乙肝病毒感染者免疫耐受期诊断模型构建及预测方法

    公开(公告)号:CN116153493A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211332931.2

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种慢性乙肝病毒感染者免疫耐受期诊断模型构建及预测方法,诊断模型构建方法包括:获取慢性乙肝病毒感染者的临床数据,并基于临床数据,对慢性乙肝病毒感染者进行筛选,确定研究对象;将研究对象分为训练集和验证集,对训练集中的临床数据依次进行单因素分析、lasso回归分析及多因素分析,确定风险因素及对应的决定参数;根据风险因及对应的决定参数,构建回归分析模型;利用验证集中的临床数据对回归分析模型进行验证,待回归分析模型符合预设标准时,确定回归分析模型为诊断模型。将待诊断患者的风险因素输入到本发明构建的诊断模型中,可以快速了解患者是否需要抗病毒治疗,简便快捷,具有较高的临床应用价值。

    一种具有成骨活性的氨基酸片段Z01及其筛选和应用

    公开(公告)号:CN115785258A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211520130.9

    申请日:2022-11-30

    Inventor: 张驰

    Abstract: 本发明属于生物技术领域,具体涉及一种具有成骨活性的氨基酸片段Z01及其筛选和应用。本发明自建了特有针对Osx的细胞筛选平台:CL‑Osx‑EGFP细胞株。该细胞筛选平台将Osx和EGFP融合,EGFP作为跟踪标记,能直接反映Osx的表达变化,筛选出能激活Osx的化合物。最早发现Z01可以有效激活Osx,其氨基酸序列如SEQ ID NO.1所示。对Z01进行药代动力学分析和毒理学检测,最后在去卵巢大鼠的骨质疏松动物模型中验证Z01的成骨活性。最终证明Z01具有成骨活性,可以改善骨的微结构,增加骨密度,应用范围极广。

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