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公开(公告)号：CN119472181A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411294580.X
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳市大族半导体装备科技有限公司
IPC: G03F7/20 , G06F16/16 , G06F16/51 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明实施例公开了一种空间阵列化UV LED光源及AI时域化控制光刻方法，涉及光刻技术领域。所述方法包括：获取掩膜板文件，对所述掩膜板文件进行分解，得到多个基本图案；基于预设的基本图案算法数据库，分别获取所述掩膜板文件的多个所述基本图案对应的多个UV LED灯珠控制算法，组成初始空间阵列化UV LED光源控制算法；基于预设的神经网络，通过机械学习的方式对所述初始空间阵列化UV LED光源控制算法进行优化，得到人工智能光源‑掩膜联合优化算法；基于所述人工智能光源‑掩膜联合优化算法控制所述空间阵列化UV LED光源透过所述掩膜板向晶圆曝光。本发明相比于传统光刻方法，具有计算量小，且产品良率高的技术效果。
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公开(公告)号：CN119247702A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411293941.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳市大族半导体装备科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光刻机及光源阵列化调节方法，其中，该方法用于获取待光刻的目标光刻图案，根据目标光刻图案确定平行光分布形状控制算法，控制UV平行光源产生UV平行光，根据平行光分布形状控制算法控制阵列化空间光调制器对射入的UV平行光的分布形状进行整形形成目标初步整形光束，根据掩膜板对射入的目标初步整形光束进行整形，形成目标二次整形光束，控制聚焦镜对射入的目标二次整形光束进行聚焦，形成目标光刻图案对应的目标曝光光束。本申请能够使光刻机精确输出目的光的分布形状。
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公开(公告)号：CN117012624A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311054769.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种氟掺杂氧化铟薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，所述氟掺杂氧化铟薄膜的制备方法包括步骤：在通过原子层沉积法制备氧化铟薄膜的过程中进行含氟等离子体处理，或在通过原子层沉积法制备得到氧化铟薄膜后进行含氟等离子体处理，得到氟掺杂氧化铟薄膜。本发明中采用原子层沉积结合含氟等离子体处理，制备得到超薄均匀致密的氟掺杂氧化铟薄膜。氟掺杂可稳定氧化铟的晶体结构并有效抑制氧化铟的施主缺陷态密度；同时，氟掺杂不会对氧化铟导带底附近能态产生贡献，因此氟掺杂在抑制施主缺陷态的同时维持了氧化铟的高迁移率特性。薄膜晶体管采用本发明的氟掺杂氧化铟薄膜作为沟道层时，具有较高的场效应迁移率、阈值电压和电学稳定性。
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公开(公告)号：CN113437099B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110520740.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/119 , H04N25/79 , H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/77 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器像素电路，包括探测晶体管，配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号；开关晶体管，配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理；所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管，并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层，并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料；其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料，所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。
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公开(公告)号：CN116504642A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310494867.6
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701045B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011592482.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
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公开(公告)号：CN116434697A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310456609.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种像素电路、驱动方法和显示装置，像素电路包括脉冲幅度调制模块、发光元件和脉冲宽度调制模块。脉冲幅度调制模块包括第一驱动开关模块、第一重置模块、第一存储电容、第一补偿模块和调幅驱动模块。第一驱动开关模块通过第二端接收第一重置模块发送的第二参考电压，且与发光元件相连，其控制端在发光阶段之前接收第三参考电压，第三与第二参考电压之差大于第一阈值电压；第一存储电容和第一补偿模块依次设置在第一驱动开关模块的第二端与控制端之间；调幅驱动模块提供调幅数据电压至第一存储电容。脉冲宽度调制模块在发光阶段控制第一驱动开关模块的控制端的电压。本发明可用于阈值补偿，降低功耗，提高显示质量。
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公开(公告)号：CN113421942B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110521681.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域，并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料；其中所述源漏区域是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。
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公开(公告)号：CN115332388A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210966469.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L27/146
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括从下至上依次堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、与所述有源层局部接触的源漏电极、钝化层；其中所述有源层包括本征氢化非晶硅，在与所述源漏电极接触的区域所述有源层还包括重掺杂氢化非晶硅。本申请还公开了相应的光电探测像素电路以及光电探测器及其制造。
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公开(公告)号：CN115295632A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210857220.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、半导体层、第二金属层、钝化层以及金属侧墙；第一金属层形成在衬底上，第一金属层为高功函数金属；半导体层形成在第一金属层上，或者半导体层部分形成在第一金属层上且部分形成在衬底上；金属侧墙与半导体层的侧壁接触，金属侧墙为高功函数金属，金属侧墙与半导体层之间形成肖特基接触；钝化层覆盖金属侧墙、半导体层以及第一金属层；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触，第二金属层为低功函数金属。通过在半导体层的侧壁上设置金属侧墙，利用金属侧墙与半导体层之间肖特基接触，将半导体层的侧壁耗尽，削弱边缘电场，从而降低反向加压时漏电的情况。
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