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公开(公告)号：CN112701084B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011592468.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09F9/30
Abstract: 一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
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公开(公告)号：CN112701045B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011592482.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
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公开(公告)号：CN112701084A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592468.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
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公开(公告)号：CN112701045A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592482.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
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