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公开(公告)号：CN120034184A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510118966.3
申请日：2025-01-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种模数转换电路、模数转换方法、芯片及电子设备，模数转换电路用于作为循环逼近型模数转换器，包括电容退化放大器、数模转换器、比较器、第一开关电容电路和第二开关电容电路。数模转换器分别与比较器、第一开关电容电路和第二开关电容电路连接。比较器分别与第一、第二开关电容电路连接。电容退化放大器分别与第一、第二开关电容电路连接。基于开环的电容退化放大器来实现循环逼近型模数转换器，应用电荷共享等低功耗技术，以保障高线性度的前提下使循环逼近型模数转换器的功耗大大降低。
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公开(公告)号：CN117833650B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202311610936.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种直流转换器及其控制方法，该直流转换器包括：转换电路模块、反馈采样电路模块、纹波检测电路模块、时钟产生模块以及控制电路模块通过对直流转换器的输出信号进行采样，得到目标采样信号，以依据目标采样信号进行纹波检测，产生调制信号，随后依据该调制信号和该调制信号对应的时钟控制信号，输出相位片控制信号，以依据相位片控制信对直流转换器接收到的电能输入信号进行直流转换，使得直流转换器可以通过调整相位片控制信号的相位关系实现不同的工作模式，解决了传统SC转换器基于传统的非交叠的控制信号进行控制所导致的效率提升受限问题，能够显著提高效率。
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公开(公告)号：CN118041358A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211374890.3
申请日：2022-11-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03M1/06 , H03M1/12 , H03K17/687
Abstract: 本申请公开了一种用于模数转换的采样开关电路，包括自举式开关电路和电容数模转换器，其中，电容数模转换器用于依据预设数字调节信号设置自举式开关电路的第一开关MOS管M1的控制极的电压。通过电容数模转换器来调整第一开关MOS管M1的栅极电压，将与输入的待采样信号无关的、固定的电荷注入的影响消除，确保了即使在不同工艺角下，将电荷注入影响降至最低。
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公开(公告)号：CN114285414B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111610898.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种模数转换方法及缩放式增量型模数转换器，其中缩放式增量型模数转换器ADC包括一个用作粗转换器的逐次逼近型ADC和一个用作细转换器的二阶增量型ADC，其包括串联的两个积分器，每个积分器包括过零检测电路。方法中，设置两个控制信号φ1和φ2交替控制两个积分器的采样和积分，并根据每个积分器积分过程完成时产生的过零信号控制φ1有效和φ2有效的切换，通过两个积分器互相推动，使得φ1和φ2成为自定时的控制信号，并通过整体的时序设计控制粗转换过程和细转换过程的自定时执行。
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公开(公告)号：CN117879615A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311658041.5
申请日：2023-12-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03M3/00
Abstract: 本申请涉及一种模数转换器及其处理方法、设备、介质，该模数转换器包括外层调制器和集成在所述外层调制器中的内层调制器；通过外层调制器中的积分器模块依据模拟输入信号和外层调制器的反馈信号，输出积分输入信号，使得内层调制器依据采样速率对该积分输入信号进行量化，得到量化结果，并将量化结果作为外层调制器的反馈信号，从而使得内层调制器可以作为外层调制器的量化器，通过调整内层调制器的采样频率即可实现不同量化位数，简化了多比特量化器的设计电路，能够有效减少电路面积和降低电路设计复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872263.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L23/31 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
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公开(公告)号：CN114285414A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111610898.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种模数转换方法及缩放式增量型模数转换器，其中缩放式增量型模数转换器ADC包括一个用作粗转换器的逐次逼近型ADC和一个用作细转换器的二阶增量型ADC，其包括串联的两个积分器，每个积分器包括过零检测电路。方法中，设置两个控制信号φ1和φ2交替控制两个积分器的采样和积分，并根据每个积分器积分过程完成时产生的过零信号控制φ1有效和φ2有效的切换，通过两个积分器互相推动，使得φ1和φ2成为自定时的控制信号，并通过整体的时序设计控制粗转换过程和细转换过程的自定时执行。
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公开(公告)号：CN117833650A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311610936.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种直流转换器及其控制方法，该直流转换器包括：转换电路模块、反馈采样电路模块、纹波检测电路模块、时钟产生模块以及控制电路模块通过对直流转换器的输出信号进行采样，得到目标采样信号，以依据目标采样信号进行纹波检测，产生调制信号，随后依据该调制信号和该调制信号对应的时钟控制信号，输出相位片控制信号，以依据相位片控制信对直流转换器接收到的电能输入信号进行直流转换，使得直流转换器可以通过调整相位片控制信号的相位关系实现不同的工作模式，解决了传统SC转换器基于传统的非交叠的控制信号进行控制所导致的效率提升受限问题，能够显著提高效率。
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公开(公告)号：CN116581176A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310470640.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/20
Abstract: 一种肖特基光电二极管及其制造方法，肖特基光电二极管，包括：阳极层，阳极层为高功函数电极材料；阴极层，阴极层为低功函数电极材料；形成在阳极层与阴极层之间的异质结结构；异质结结构包括第一半导体层与第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层为两种不同的半导体材料层，第一半导体层与第二半导体层均为非晶氧化物半导体材料；第一半导体层与阳极层接触，并形成肖特基接触；第二半导体层与阴极层接触，并形成欧姆接触。本申请提高可以提高基于非晶氧化物半导体的肖特基光电二极管的性能。
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公开(公告)号：CN115295632A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210857220.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、半导体层、第二金属层、钝化层以及金属侧墙；第一金属层形成在衬底上，第一金属层为高功函数金属；半导体层形成在第一金属层上，或者半导体层部分形成在第一金属层上且部分形成在衬底上；金属侧墙与半导体层的侧壁接触，金属侧墙为高功函数金属，金属侧墙与半导体层之间形成肖特基接触；钝化层覆盖金属侧墙、半导体层以及第一金属层；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触，第二金属层为低功函数金属。通过在半导体层的侧壁上设置金属侧墙，利用金属侧墙与半导体层之间肖特基接触，将半导体层的侧壁耗尽，削弱边缘电场，从而降低反向加压时漏电的情况。
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