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公开(公告)号：CN214256319U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202023114655.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H04B10/548 , G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供一种基于硅基氮化硅波导的90度光混频器，包括：衬底；二氧化硅层，位于衬底上；氮化硅波导层，位于二氧化硅层上；二氧化硅包层，包覆于氮化硅波导层上；其中，氮化硅波导层配置为包括信号光输入波导、本振光输入波导、多模干涉区及四个输出波导；信号光输入波导与多模干涉区耦合，用于接收信号光，多模干涉区激励出各阶模式，使信号光和本振光发生混频，形成输入光场的四个复制点，并分别引出至四个输出波导。本实用新型基于硅基氮化硅波导及多模干涉耦合器实现了低损耗、低相位偏差、高光学带宽的2×4型90度光混频器。
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公开(公告)号：CN212033016U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202021004905.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海工程技术大学
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提供一种三维芯片封装结构，包括：封装基板；三维堆叠芯片组件，包括第一芯片组件及第二芯片组件，第一芯片组件的尺寸大于第二芯片组件的尺寸；热桥结构，形成于第一芯片组件上，与第二芯片组件间具有间距；散热盖组件，形成于封装基板上，热桥结构、第一芯片组件与散热盖组件之间热导通。本实用新型通过引入热桥结构，形成导热通路，有利于三维堆叠芯片的散热，大幅度降低底部芯片的散热热阻和温度。本实用新型的设计还可以降低第一芯片的温差，能够大幅度降低热应力。热桥结构分担了原本施加到三维堆叠芯片上的散热器等的压力，从而使得封装受力更为均匀，结构更加稳定。本实用新型工艺简单，基本不影响现有的封装工艺流程和制程。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210123484U
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201921035705.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210072135U
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201921180966.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本实用新型器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218731005U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222184776.6
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L27/144
Abstract: 本实用新型提供一种硅光器件，其包括在SOI衬底的顶层硅上具有不同刻蚀深度的硅基光栅结构、脊形波导和条形波导，然后先对显露的脊形波导两侧进行掺杂，接着通过采用化学机械抛光(CMP)结合湿法刻蚀的方法去除硬掩膜图形，最后通过掺杂工艺制备出调制器和探测器。由于需要通过湿法腐蚀工艺去除的硬掩膜图形的剩余厚度较小，埋氧层上还有二氧化硅层的保护，可避免直接长时间采用湿法刻蚀工艺对光波导器件带来的损伤，因此不会产生埋氧层被侵蚀而产生侧向槽的缺陷，进而有效降低光波导的传输损耗，保证器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214586093U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202121168609.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供一种基于亚波长光栅波导结构的120度光混频器，混频器包括一多模干涉区、连接于多模干涉区的输入端的三个输入波导以及连接于多模干涉区的输出端的三个输出波导，多模干涉区、输入波导及输出波导为亚波长光栅波导结构，其中，多模干涉区为光栅长度相等的亚波长光栅波导结构，输入波导为光栅长度逐渐增大的亚波长光栅波导结构，输出波导为光栅长度逐渐减小的亚波长光栅波导结构。本实用新型可在较小的多模干涉区的长度下在输出端口实现120度光混频操作。与传统的多模干涉耦合器结构相比，本实用新型采用亚波长光栅波导结构的光混频器可以有效减小器件尺寸、提高集成度，同时可以实现超大带宽、低相位偏差的光混频器。
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公开(公告)号：CN210607255U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921122280.8
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中并覆盖于所述硅衬底表面，所述介质层中具有种子槽，所述种子槽显露所述硅衬底；单晶硅层，填充于所述种子槽并覆盖于所述介质层表面，所述单晶硅层与所述种子槽底部的硅衬底相接触。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210375634U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921403148.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成电流；以及加热器，其形成于所述环形谐振腔的预定距离处。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210123485U
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201921035734.8
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209880627U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201921035453.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ-Ⅴ/Si异质结构，包括：硅波导层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有Ⅲ-Ⅴ族材料异质集成窗口，该集成窗口显露所述硅波导层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中并覆盖所述介质层，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶Ⅲ-Ⅴ族材料层；Ⅲ-Ⅴ族材料衬底，键合于所述单晶材料层。本实用新型通过将具有单晶结构的Ⅲ-Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。本实用新型可有效发挥硅材料与Ⅲ-Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ-Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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