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公开(公告)号：CN209217173U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201920010620.1
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本实用新型涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422052U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720132443.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。
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公开(公告)号：CN204348720U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201520079927.9
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本实用新型公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器，该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成；所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层构成；漏极和源极分设在第二帽层的上方；第一帽层、第二帽层和刻蚀停止层内开设有栅槽，T形的栅极嵌入该栅槽内，栅极的栅脚与势垒层接触。本实用新型工艺简单，器件可靠性强，便于重复。
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公开(公告)号：CN204179089U
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201420611907.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209329167U
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201822162829.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208461784U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201820613792.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本实用新型在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206788402U
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201720283881.1
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种等离激元波导带通滤波器，由介质层、金属膜和2个以上的纳米狭缝单元组成；金属膜覆设在介质层的表面；每个纳米狭缝单元均呈工字形,并由2个水平方向延伸孔和1个垂直方向延伸孔组成，垂直方向延伸孔的两端分别与水平方向延伸孔相接；2个水平方向延伸孔完全相同；所有纳米狭缝单元均贯通地开设在金属膜上，并在金属膜上呈矩阵形式规则排列。本实用新型具有光透射率高、体积小巧、易于集成，选频特性好的特点；同时可以通过改变水平和/或垂直方向延伸孔的尺寸来改变选频范围和透射系数。
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公开(公告)号：CN206422040U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041157.8
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN203118954U
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201320030306.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本实用新型相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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