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公开(公告)号：CN118549697A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410526874.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/165 , H03K17/082 , H03K17/687 , G01R31/52 , H03K17/08
Abstract: 本发明涉及一种过流检测电路及保护装置。其中，过流检测电路包括：第一采样模块，用来提取半导体开关的栅极电压；第二采样模块，用来提取所述半导体开关的漏极电压；分析模块，用来比较所述栅极电压和第一参考电压的大小，以及所述漏极电压和第二参考电压的大小，当所述栅极电压大于所述第一参考电压且所述漏极电压大于所述第二参考电压时生成过流信号；所述第一参考电压大于所述半导体开关的米勒平台电压，且随所述半导体开关结温的增加而减小。本发明能够准确、迅速的检测过流现象，且能适应高温变化。
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公开(公告)号：CN118431278A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410425688.1
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及一种单片集成SiC基GaN半桥电路及其制备方法，包括高边功率管和低边功率管；所述高边功率管和低边功率管由下往上依次包括：半绝缘SiC衬底、低阻SiC外延层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层；所述高边功率管和低边功率管通过底部半绝缘SiC衬底相连。本发明通过半绝缘SiC衬底结合凹槽隔离技术实现高低边功率管的完全隔离，同时利用器件源极分别与低阻SiC外延层互连保证两管衬底始终保持与各自源极电位相同来消除衬底间串扰问题，为GaN功率器件的高频电力电子应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN118173589A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211574012.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种栅介质层、MOSFET器件及其制备方法，所述栅介质层的材料由式AαSi1‑αOγ所表示，式中，A表示选自高K金属氧化物中的一种金属元素或多种金属元素的组合，Si表示为硅元素，O表示为氧元素，α介于0.75～0.95，γ表示为满足电荷中性条件而确定的值。本发明提供的栅介质层、MOSFET器件及其制备方法能够解决现有MOSFET器件采用高K金属氧化物材料来制作栅介质层导致的器件漏电流密度高的问题。
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公开(公告)号：CN118136653A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211532247.9
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN115277328A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210813367.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种解调电路和电容耦合数字隔离器，解调电路包括：多级放大器，用于放大输入信号以产生两个不同幅值的差分信号；第一包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较小的一个差分信号进行解调，得到第一波形信号；第二包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较大的一个差分信号进行解调，得到第二波形信号；比较器，用于将第一波形信号和第二波形信号进行比较并输出比较结果，在比较时，将所述第一波形信号作为阈值电压。本发明能够降低电路的脉冲宽度失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141646A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111352927.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法，包括：按预设方式在晶圆上选取若干测试晶粒，将选取的若干测试晶粒的码值烧写为各自零温漂系数对应的码值M，该码值可由芯片所选工艺的参数特性估算得来；对每个测试晶粒进行温度测试，得到每个测试晶粒的温度曲线，并计算每个测试晶粒的温度曲线斜率KM；统计每个测试晶粒的相邻晶粒各自零码斜率K0的平均值根据所述平均值和每个测试晶粒的温度曲线斜率KM，计算每个测试晶粒的单位码值变化影响的温度曲线斜率变化量KSTEP；对所有测试晶粒的温度曲线斜率变化量KSTEP取平均得到平均值根据所述平均值计算每个测试晶粒和未选取到的晶粒的烧写码值。本发明能够提高晶圆级基准电压的修调效率。
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公开(公告)号：CN113067565A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110216369.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/082 , H03K17/16
Abstract: 本发明涉及一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiC MOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，还包括：寄存器模块，用于存储所述逻辑信号；时钟产生模块，与所述寄存器模块相连，用于产生所述寄存器模块的所需的工作时钟信号；消隐时间配置模块，与所述寄存器模块相连，用于调节所述寄存器模块的有效位数和工作时钟频率；逻辑处理模块，用于根据所述寄存器模块中存储的逻辑信号，在发生短路时输出短路保护信号。本发明能够调整消隐时间，且具有较强的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN109917179B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910211777.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种电流检测系统，包括一功率器件，其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器，低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻；采样信号调节电路，与低通滤波器的电容输出端相连；信号整形电路，连接于功率发射极和辅助发射极之间；以及可编程器件，其与采样信号调节电路的输出端和信号整形电路的输出端相连，接收信号整形电路的信号作为启动信号，控制采样信号调节电路进行采样。本发明还提供了一种电流检测方法和一种可编程器件。本发明的电流检测系统可以实现功率器件寄生参数与检测系统的时间常数自动匹配，而不需对每个功率器件的寄生参数进行测量，因此提高了检测精度，并且此检测系统电路结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN111162789A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010058947.3
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M1/54
Abstract: 本发明公开了一种采样保持电路及电器，包括：第一电容、第一场效应管、第二电容；所述第一电容的一端分别与所述采样保持电路的输入端和所述第一场效应管的源极，所述第一电容的另一端接地；所述第一场效应管的漏极均与所述第二电容的一端和所述采样保持电路的输出端耦接；所述第二电容的另一端接地。本发明提供的采样保持电路能减小输出信号的掉电率、减小采样开关的导通电阻、提高线性度以及降低总体功耗。
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公开(公告)号：CN110262614A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910634838.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端，所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间的数值的差值，获得修调步长；获得第一预设斜率值，并根据第一预设斜率值和修调步长，以及第一码值的温度特性曲线的斜率或第二码值的温度特性曲线的斜率，获得与第一预设斜率值对应的理论码值，理论码值为正数；根据理论码值获得最低温度系数的码值；基于最低温度系数的码值，对每一个芯片的温度系数进行修调。
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