-
公开(公告)号：CN118173589A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211574012.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种栅介质层、MOSFET器件及其制备方法，所述栅介质层的材料由式AαSi1‑αOγ所表示，式中，A表示选自高K金属氧化物中的一种金属元素或多种金属元素的组合，Si表示为硅元素，O表示为氧元素，α介于0.75～0.95，γ表示为满足电荷中性条件而确定的值。本发明提供的栅介质层、MOSFET器件及其制备方法能够解决现有MOSFET器件采用高K金属氧化物材料来制作栅介质层导致的器件漏电流密度高的问题。
Search Results
1
records
(took 0.035 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
