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公开(公告)号：CN101688295A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880016940.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C14/50 , H01J37/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01J37/20 , H01J2237/2007 , H01J2237/31701 , H01L21/6833
Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。
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公开(公告)号：CN101681782A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015524.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/00 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L27/00
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(202)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
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公开(公告)号：CN101641764A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880008577.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/223 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32706
Abstract: 一种多阶等离子体掺杂基板的方法包括点燃来自处理气体的等离子体。建立第一等离子体状态来执行第一等离子体掺杂步骤。给基板加偏压，使得具有第一等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第一剂量。第一等离子体状态过渡到第二等离子体状态。给基板加偏压，使得具有第二等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第二剂量。选定第一和第二等离子体状态使得第一和第二剂量相结合，以实现在基板的至少一部分上的预定剂量分配。
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公开(公告)号：CN101578681A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001770.0
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 奎格·R·钱尼 , 艾利克·R·科步 , 约瑟·C·欧尔森 , 奎斯·坎贝儿
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , F17C9/02
CPC classification number: H01J27/02 , C23C14/246 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
Abstract: 揭示一种提供离子源供料材料的技术。在一特定实施例中，此技术可实现为供应离子源供料材料的容器。容器可包括内腔，其预填充有离子源供料材料。容器还可包括外主体，其配置为可载入对应的外罩内并可由外罩内移除，外罩经由喷嘴总成耦接至离子源室。容器还可包括出口，以密封预填充的离子源供料材料，出口还配置为与喷嘴总成啮合以在内腔与离子源室之间建立引流路径。容器可配置为抛弃式构件。
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公开(公告)号：CN101563752A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043822.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L22/20 , H01J2237/30433 , H01J2237/31711 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术。在一特定实施例中，在基板的一部份上执行离子注入，同时屏蔽剩余部份。再将该基板移动到第二注入器工具。随后使用该第二工具在同一基板的另一部份上执行注入，同时光罩覆盖包括第一部份在内的基板的剩余部份。在第二注入工艺之后，对在第一和第二部份上制造的半导体装置执行参数测试，以便确定这些半导体装置的一个或多个性能特征是否存在变化。如果发现变化，则建议对注入工具之一的一个或多个操作参数进行改变，以便降低制造工厂中的注入器的性能变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563749A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043193.7
申请日：2007-09-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/317 , H01J31/16 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J2237/0206 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
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公开(公告)号：CN101257944A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200580048222.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/055 , H01J2237/057
Abstract: 现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。
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公开(公告)号：CN101218658A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680004113.2
申请日：2006-02-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/15 , H01J2237/1501 , H01J2237/20228 , H01J2237/3045 , H01J2237/30472
Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN101203932A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680019106.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/31761 , Y10S438/961
Abstract: 本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN101189699A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019506.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01L21/26586 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L29/66803 , H01L29/785
Abstract: 本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将一个或多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的入射角的一平均扩散。此方法可更包括至少部分地基于入射角的平均扩散调整一个或多个离子束以产生离子束入射角的一所要扩散。
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