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公开(公告)号：CN101257944A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200580048222.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/055 , H01J2237/057
Abstract: 现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。
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公开(公告)号：CN101292139B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200680017474.0
申请日：2006-05-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G01K1/08
CPC classification number: H01J27/24 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0812 , H01J2237/0815
Abstract: 本发明包括用于产生以前不能以有用强度产生的高强度各种所需正和负分子和原子离子束的紧凑经济装置。另外，本发明提供与所需离子经常同时发射的伴随背景的基本拒斥。本发明的原理为共振离子转移，其中利用共振和非共振过程之间的能量差异增强或减弱粒子电荷改变过程。这种新的源技术与以下领域有关：加速器质谱分析，分子离子注入、定向中性束的产生和在磁场内产生离子束中和所需电子。具有商业重要性的一个例子是癸硼烷分子B10H14的电离，其中在癸硼烷分子和砷原子之间发生几乎完美的电离共振匹配。
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公开(公告)号：CN101257944B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200580048222.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , A61N5/00 , G21G5/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/055 , H01J2237/057
Abstract: 现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。
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公开(公告)号：CN101292139A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680017474.0
申请日：2006-05-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G01K1/08
CPC classification number: H01J27/24 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0812 , H01J2237/0815
Abstract: 本发明包括用于产生以前不能以有用强度产生的高强度各种所需正和负分子和原子离子束的紧凑经济装置。另外，本发明提供与所需离子经常同时发射的伴随背景的基本拒斥。本发明的原理为共振离子转移，其中利用共振和非共振过程之间的能量差异增强或减弱粒子电荷改变过程。这种新的源技术与以下领域有关：加速器质谱分析，分子离子注入、定向中性束的产生和在磁场内产生离子束中和所需电子。具有商业重要性的一个例子是癸硼烷分子B10H14的电离，其中在癸硼烷分子和砷原子之间发生几乎完美的电离共振匹配。
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