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公开(公告)号：CN108736118B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
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公开(公告)号：CN110823841A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911178130.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41 , G01R33/032 , G01K11/32
Abstract: 本发明公开了一种基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器。所述D型光子晶体光纤传感器包括具有平面壁和曲面侧壁的多模光子晶体光纤，其横截面呈D形，在所述D型侧面上具有传感层，纤芯右侧对称的空气孔填充有温敏介质，纤芯下方空气孔填充有磁光介质。本发明在D形光子晶体光纤侧抛表面镀有一层金薄膜，作为传感层，实现高灵敏度的SPR折射率传感器，温敏介质由甲苯构成，实现温度传感，磁光介质由Fe3O4构成，实现磁场传感。本发明的优点是：克服了传统光纤传感器传感参数单一的不足，实现了温度、磁场、折射率三参量的实时测量。另外D型结构的设计减小了传感层与纤芯的距离，有利于与样品的强相互作用，进而实现了高达57900nm/RIU的超高传感灵敏度。该传感器设计新颖，体积小，集成度高，在未来实现光电子集成器件及多功能传感检测领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN109059971A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
CPC classification number: G01D5/35387 , G01D5/35306
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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公开(公告)号：CN108736118A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
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公开(公告)号：CN105140155B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
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公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN104091827B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410283229.0
申请日：2014-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。
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