公开(公告)号：CN106057865B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201610663376.X

申请日：2012-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  秋元健吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1‑δO3(ZnO)m(注意，0

公开(公告)号：CN110337744A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880011201.8

申请日：2018-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  三上真弓 ,  门马洋平 ,  落合辉明 ,  齐藤丞

IPC: H01M4/485 ,  C01G51/00 ,  H01M4/525

Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质，优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子，然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。

公开(公告)号：CN109065553A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810945034.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN104867982B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201510142874.5

申请日：2010-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:衬底之上的栅电极层;所述栅电极层之上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层;源电极层和漏电极层,所述源电极层和所述漏电极层中的每个与所述氧化物半导体层接触;所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层,所述绝缘层包含氧和硅;以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第区域,其中,所述第区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少种金属元素。

公开(公告)号：CN108110225A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711102939.9

申请日：2017-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 落合辉明 ,  川上贵洋 ,  三上真弓 ,  门马洋平 ,  鹤田彩惠 ,  高桥正弘

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/30 ,  H01G11/50

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/02 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/13 ,  H01G11/30 ,  H01G11/50 ,  H01M4/582

Abstract: 本发明提供：充放电循环中的容量减小得到抑制的正极活性物质粒子；大容量二次电池；充放电特性良好的二次电池；安全性或可靠性高的二次电池；新颖的物质、活性物质粒子、蓄电装置。一种包括第一区域及第二区域的正极活性物质粒子，其中第二区域包括与第一区域的外侧接触的区域，第一区域包含锂、选自钴、锰和镍中的一个以上的元素M及氧，第二区域包含元素M、氧、镁及氟，通过X射线光电子能谱而测量的锂相对于元素M的原子数比(Li/M)为0.5以上且0.85以下，通过X射线光电子能谱而测量的镁相对于元素M的原子数比(Mg/M)为0.2以上且0.5以下。

公开(公告)号：CN105870196B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201610250240.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN104409511B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410612094.8

申请日：2009-11-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  坂田淳一郎 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岸田英幸 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In‑Ga‑Zn‑O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In‑Ga‑Zn‑O基氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。

公开(公告)号：CN103380509B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280009003.0

申请日：2012-02-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下垣智子 ,  濑尾哲史 ,  大泽信晴 ,  井上英子 ,  高桥正弘 ,  铃木邦彦

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06 ,  C07F15/00

CPC classification number: H01L51/5016 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/55 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件，或者提供一种寿命长的发光元件。该发光元件包括位于一对电极之间的包含客体材料及主体材料的发光层，其中主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠，并且通过将主体材料的激发能量转换为客体材料的激发能量，来发射磷光。由于通过利用主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱的重叠，顺利进行从主体材料到客体材料的能量转移，所以该发光元件的能量转移效率很高。从而，可以实现外部量子效率高的发光元件。

公开(公告)号：CN106057865A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610663376.X

申请日：2012-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  秋元健吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1‑δO3(ZnO)m(注意，0

公开(公告)号：CN102354731B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201110339426.6

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明揭示一种发光器件及电子设备，其目的在于提高电致发光元件等发光元件的光取出效率。在衬底100上方形成第一电极101、发光层102、第二电极103，来一部分构成发光元件。将在发光层102发出的光从第二电极103取出。与第二电极103的表面接触地提供多个立体的物体104。通过提供物体104，在第二电极103和空气之间被全反射的光入射于物体104，而可以将光从物体104所具有的不平行于物体和第二电极103的界面的侧面发出。