公开(公告)号：CN101136438A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710142239.2

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0884 ,  B23K2101/006 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种通过激光晶化法使晶界在一个方向上一致的晶态半导体膜及其制造方法。当通过利用线状激光使形成在衬底上的半导体膜晶化时，使用凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相移掩模上的条形凹凸与线状激光的长轴方向形成近似于垂直的角度地被形成。使用连续振荡激光作为激光，并且该激光的扫描方向与条形凹凸(槽)的方向大体上平行。通过在长轴方向上周期性地改变激光的亮度，可以控制完全熔化的半导体膜的结晶核生成位置。

公开(公告)号：CN101118849A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710138353.8

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN1280880C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1540720A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410036918.8

申请日：2004-04-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度，扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是，在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量，可能造成膜被剥离等。为此，本发明的特征在于：在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下，光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定，增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置，或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束，照射到元件形成区之外。

公开(公告)号：CN1435864A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1409382A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1389900A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121634.7

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了得到其中关电流值很低、波动被抑制的TFT,电子设备配备有该TFT。基础绝缘膜和非晶半导体膜之间的膜淀积温度被设定为基本相同,以改善半导体膜的平整度。然后,进行激光照射。

公开(公告)号：CN119908180A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380066409.0

申请日：2023-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  惠木勇司

IPC: H10D30/67 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置。晶体管包括具有柱状区域的第一导电体、具有筒状第一区域的第一绝缘体、具第一导电体贯通的开口的第二导电体、位于第二导电体上且具有筒状第二区域的第一半导体以及第一半导体上的第三导电体，第一绝缘体所具有的第一区域围绕第一导电体所具有的柱状区域，第一导电体具有位于第二导电体所具有的开口的上部的第三区域，第一导电体在第三区域中隔着第一绝缘体所具有的第一区域被第一半导体所具有的第二区域围绕。

公开(公告)号：CN119896060A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065907.3

申请日：2023-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  松木充弘

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H10D84/01 ,  H10D84/83 ,  H10D84/00 ,  H10D30/67

Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的存储装置。存储装置包括多个存储单元、第一绝缘体及第一绝缘体上的第二绝缘体。存储单元包括电容器及电容器上的晶体管。电容器的至少一部分配置在第一绝缘体中的第一开口部。晶体管的至少一部分配置在第二绝缘体中的第二开口部。第一开口部具有与第二开口部重叠的区域。第一开口部的直径比第二开口部的直径大。另外，相邻的存储单元中，配置电容器的间隔与配置晶体管的间隔一致。