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发明公开
存储装置审中-公开

公开(公告)号：CN119896060A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065907.3

申请日：2023-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 , 松木充弘

IPC: H10B12/00 , H10B53/30 , H10D84/01 , H10D84/83 , H10D84/00 , H10D30/67

Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的存储装置。存储装置包括多个存储单元、第一绝缘体及第一绝缘体上的第二绝缘体。存储单元包括电容器及电容器上的晶体管。电容器的至少一部分配置在第一绝缘体中的第一开口部。晶体管的至少一部分配置在第二绝缘体中的第二开口部。第一开口部具有与第二开口部重叠的区域。第一开口部的直径比第二开口部的直径大。另外，相邻的存储单元中，配置电容器的间隔与配置晶体管的间隔一致。

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