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公开(公告)号：CN104779350A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510155876.8
申请日：2015-04-02
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/10 , H01L51/0032 , H01L51/0034 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/05
Abstract: 本发明涉及一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结，属于有机固体电子器件领域。该本体异质结是将一种光致变色材料与电荷传输型半导体材料共蒸或旋涂到有机场效应晶体管半导体层。基于光致变色材料的光响应特性，其在光的作用下能够发生物理性质的变化，在与电荷传输型半导体材料掺杂后，内部载流子浓度发生变化，从而能够通过光调制有机场效应晶体管电流特性。同时，在避光时，该本体异质结也能在电场的作用下改变内部的载流子浓度，并体现在有机场效应晶体管的电流变化上。因此，将光致变色材料，与电荷传输型半导体材料采用共蒸或者旋涂方式制膜，作为有机场效应晶体管的本体异质结，能够实现光/电双控晶体管特性。
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公开(公告)号：CN104134448A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410306921.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了多波长叠层荧光数据存储器及其器件制作与读取方法，属于光信息存储技术。本发明的思路是利用入射激光照射在荧光存储器的待读的信息层上，当所述信息层上信息位的凹槽中的荧光介质吸收能量时产生荧光信号。该荧光信号，由于其不同于其他波长，最后在CCD探测器利用一个滤波片滤出除所待读的信息层激发的荧光波长以外的波长，确保CCD接收到只有待读信息层的荧光信号；在读完一层信息后，利用计算机控制滤波器切换至待读的信息层相对应滤波片。确保CCD接收到的荧光信号只有待读信息层的信号，从而达到选层的目的。
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公开(公告)号：CN103145116B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210576852.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备选择性还原氧化石墨烯的方法及利用其制备电存储器的方法，通过银盐的催化，在较低的温度下，实现了氧化石墨烯片层上含氧官能团的选择性的还原；制备的器件的存储性能远高于以氧化石墨烯材料为活性层的存储器件性能。本发明方法较好地弥补了传统氧化石墨烯还原方式剧毒及还原过程不可控的局限性，拓展了氧化石墨烯材料的还原路径，有望成为石墨烯基材料化学工业生产的重要步骤，在电存储器件中，发挥了优秀的存储性能。
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公开(公告)号：CN103232473A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140405.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种芴基有机框架材料及其制备和应用方法，该方法构筑的“日”字形框架结构材料作为新一代有机半导体应用于有机电子器件。该材料结构如下：该类材料具有以下特点：（1）格式反应和付克反应合成单体，原料廉价，合成方法简便；（2）具有高热稳定性和玻璃化温度；（3）材料具有较好的柔性，高的溶解度；（4）二芳基芴堆积作用具有良好的光电活性。该类芴基有机框架材料可应用于薄膜器件如有机发光显示、有机光存储、有机光伏电池、有机场效应晶体管和有机激光等有机电子领域。利用本发明材料制备的电致发光器件在亮度、发光效率、耐电压稳定性等方面获得了令人满意的结果。
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公开(公告)号：CN103196557A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310092371.2
申请日：2013-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光谱仪，属于光学测量技术领域。本发明的光谱仪包括沿光路入射方向依次设置的光学准直装置、分光器件、阵列式探测芯片，以及与所述阵列式探测芯片连接的数据采集与分析系统；所述分光器件包括透明基底，所述透明基底的至少一个表面上固着有至少一层透明涂层，所述透明涂层中包含有一组尺寸或形状不均匀分布的气泡。相比现有技术，本发明具有制作简单、实现成本低、便携性好，以及较高的分辨率和较宽的光谱测量范围的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102087211A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010578293.3
申请日：2010-12-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 生物薄膜的太赫兹光谱分析装置及分析方法涉及到一种对生物薄膜进行太赫兹波段光谱分析的装置，和利用太赫兹表面等离子体波对生物薄膜进行太赫兹波段光谱检测的一种方法。生物薄膜太赫兹光谱分析装置包括半导体晶片(3)、两个平行放置的刀片(2)、太赫兹波源(11)以及太赫兹时域光谱仪(6)；两个刀片垂直于半导体晶片(3)，两个刀片(2)的刀口离半导体晶片(3)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，两个刀片(2)之间的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波在半导体表面传播距离；该分析方法利用太赫兹表面等离子体波在半导体表面的很小空间内有很强电场强度的性质提高光谱分析装置的灵敏度和信噪比。
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公开(公告)号：CN114512607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116867289A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310898432.8
申请日：2023-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点，实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升。且价格低廉节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116406168A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310406711.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用，忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率，稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布，从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为，实现多阶存储与阈值切换行为，并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。
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公开(公告)号：CN110289350B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910490540.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
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