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公开(公告)号:CN1314969C
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200410018076.3
申请日:2004-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带有静电自检测功能的加速度传感器,其特征在于它在同一个单元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后,独立出适当的区域用以实现静电驱动。该传感器采用压阻敏感原理,在平面内自限制工作。该器件使用深反应离子(DRIE)刻蚀出可横向摆动的悬臂梁,在刻蚀深沟进行侧壁扩散与侧壁绝缘形成敏感压阻和静电驱动电容。本加速度传感器采用非键合的普通单硅片制造。本器件为单片集成,有利于封装和批量生产。
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公开(公告)号:CN1865923A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610027341.3
申请日:2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法,其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成;其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽;热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构;热堆位于介质薄膜上面,引线柱位于支撑框架上,热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应;光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的,将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片,再采用点胶机点胶键合,或利用粘合剂光刻对准键合,或直接进行Si-Si、Si-玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。
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公开(公告)号:CN1279595C
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN03128997.5
申请日:2003-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及带有微型连接构件的基板及其制作方法,可分为带有导入孔构件的第一基板和带有插入头构件的第二基板。导入孔构件,由第一基板上的至少两个导入孔部和至少两个隔离孔部,以及两者之间的间隔块部组成;导入孔部由垂直于第一基板表面的导入直孔及其下端的第一底部宽孔,以及位于该底部宽孔与导入直孔下端交接处的、伸向底部宽孔的第一突起部组成。插入头构件,包含至少两个插入头部,由垂直于第二基板表面的插入块及其下端两侧与基板表面交接处的凹部、及第三突起部组成。插入头部与导入孔部对准,将插入头插入导入孔,形成第一突起部与第三突起部的横向交叉,实现锁定连接。提供了一种工艺简单、封装应力低、具有多器件通用性的晶圆级封装规范。
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公开(公告)号:CN1786718A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510030947.8
申请日:2005-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及一种悬臂梁-质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑,组成悬臂梁-质量块结构,通过锚点与衬底连接;在质量块两侧对称分布了一对左、右驱动电极和一对左、右敏感电极;所述传感器用纯数字电路制作接口电路;(2)所述的悬臂梁-质量块结构在X-Y平面内绕锚点运动;(3)质量块与敏感电极接触为状态A,质量块不与敏感电极接触为状态B。状态A与B可以用数字电路中的0和1(或者1和0)表示;本发明提供的是一种纯数字式传感器,接口电路易于制又可实现超微小型化而灵敏度和非线性与传流电容或传感器相当。
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公开(公告)号:CN1727855A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510026744.1
申请日:2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新颖的微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法,属于微电子机械系统领域。该器件由红外光学系统、衬底1、m×n的像素阵列15、荧光屏14以及偏置电路16等组成。其特征在于采用微机械技术制作双材料梁(膜)作为栅极,在催化剂上定向生长的碳纳米管作为场发射源。其制作特征在于:选择合适的衬底材料,制作牺牲层及锚区,淀积双层材料,刻蚀出栅孔,并在栅孔下制作催化剂材料,在催化剂材料材料上定向生长碳纳米管,去掉牺牲层材料释放双材料梁(膜),随后封接荧光屏,实现对m×n的像素阵列的真空封装。最后连接偏置电路及其它校准电路,装配红外光学系统,形成微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件。
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公开(公告)号:CN1215348C
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN02145147.8
申请日:2002-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种竖直镜面微机械光开关及其制作方法,其特征在于:该光开关的悬臂梁、微镜、光输入和输出的对准槽全都集成在一个硅片上;以非零度角入射,输出在反射角方向接收,输入球透镜最大程度地靠近镜面,输出球透镜前后错开摆放,输入和输出的光轴平面与微镜中心在同一水平面上;所述的悬臂梁,根部固定,自由端有一镜面与之垂直,在悬臂梁左右分别制作两个对称电极,同时在靠近自由端处有两个限位块,采用静电力驱动方式;悬臂梁靠近自由端处的限位块控制转动的角度和确保电绝缘;该光开关通过腐蚀(100)硅片,制得硅的(111)竖直镜面。具有自对准、光功率损失小,开关时间短、串扰小、使用方便等优点。
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公开(公告)号:CN1603743A
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN200410068145.1
申请日:2004-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微梁直拉直压结构的压阻微机械陀螺及制作方法,其特征在于将加速度计作为陀螺的科里奥利加速度检测部分,把两个加速度计放在扭转驱动结构两侧,形成类似音叉原理的微机械陀螺;使用压阻四端器件,检测、控制陀螺的驱动幅度,实现陀螺灵敏度的温度自我补偿。其制备工艺是将体硅工艺和表面硅工艺相结合,用深反应离子刻蚀工艺完成主梁、微梁、扭转梁和质量块制作,最后将陀螺和盖板对准粘在一起完成制作。本发明提供的陀螺利用扩散在扭转梁上的四端器件实现压阻系数温度自我补偿,扦测时微梁没有弯曲,只有Z方向直拉直压。
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公开(公告)号:CN1588661A
公开(公告)日:2005-03-02
申请号:CN200410053913.6
申请日:2004-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用硅支撑梁的红外热电堆探测器阵列结构,其特征在于利用硅支撑梁结构取代原有各个器件单元间的硅框架以实现高密度的红外热电堆探测器阵列结构。周边硅框架不变,膜区的间距在20- 700μm之间。本发明可利用无掩膜腐蚀工艺实现,且发明在保证器件结构稳定、性能优异的前提下,大大减小了单元器件的间距,从而提高了器件的占空比,有利于器件的大密度集成,同时其具有工艺简单、一致性好、重复性好、成品率高、易批量生产等特点,特别适用于制作大批量高密度的红外热电堆探测阵列。
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公开(公告)号:CN1184668C
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN02136132.0
申请日:2002-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027 , G12B21/08
Abstract: 本发明涉及一种硅尖的制作方法,更确切地说,涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法,其特征在于:(1)在(100)硅片正面和背面,挖二条相交的槽,然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面,形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护;(2)然后,光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀,当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后,腐蚀限制在三个方向上,最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角,最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象,且重复性好。
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公开(公告)号:CN1178088C
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN01139287.8
申请日:2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有阶梯结构底电极的静电扭转微镜。其特征在于驱动电极呈多级阶梯底电极结构;阶梯结构底电极台阶数至少大于或等于2,阶梯底电极与微镜的角度由台阶高度h和台阶宽度l的比值控制。通过X方向和Y方向分别设置扭梁并进行二维嵌套,可方便地扩展为二维转动微镜。其制作方法或用无掩膜各向异性腐蚀,或用DRIE干法刻蚀,或用这二种方法组合制作,然后将阶梯电极和微镜对准、安装。所用的材料为单晶硅或SOI材料,本发明综合了现有技术中倾斜电极和平行于微镜的底电极两种现有转动微镜的优点。
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