公开(公告)号：CN1314969C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410018076.3

申请日：2004-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李昕欣 ,  程保罗 ,  王跃林

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带有静电自检测功能的加速度传感器，其特征在于它在同一个单元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后，独立出适当的区域用以实现静电驱动。该传感器采用压阻敏感原理，在平面内自限制工作。该器件使用深反应离子(DRIE)刻蚀出可横向摆动的悬臂梁，在刻蚀深沟进行侧壁扩散与侧壁绝缘形成敏感压阻和静电驱动电容。本加速度传感器采用非键合的普通单硅片制造。本器件为单片集成，有利于封装和批量生产。

公开(公告)号：CN1570651A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410018076.3

申请日：2004-04-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李昕欣 ,  程保罗 ,  王跃林

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带有静电自检测功能的加速度传感器，其特征在于它在同一个单元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后，独立出适当的区域用以实现静电驱动。该传感器采用压阻敏感原理，在平面内自限制工作。该器件使用深反应离子(DRIE)刻蚀出可横向摆动的悬臂梁，在刻蚀深沟进行侧壁扩散与侧壁绝缘形成敏感压阻和静电驱动电容。本加速度传感器采用非键合的普通单硅片制造。本器件为单片集成，有利于封装和批量生产。