公开(公告)号：CN102386236A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110317572.9

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明名称为半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。

公开(公告)号：CN102169906A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110037224.6

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101271827B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710185774.6

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0732 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70291 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。

公开(公告)号：CN102077354A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN101645462A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910161498.9

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有缓冲层的正交错型(顶栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层的载流子浓度高的缓冲层，来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101521233A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910126408.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  池田隆之 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  井上卓之 ,  小林聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。

公开(公告)号：CN100524817C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8-78329A中公开的技术上添加新颖的改进，本发明提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作有源层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN101478004A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810179747.2

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及利用该薄膜晶体管的半导体装置。使结晶性高的层中的接近栅极绝缘膜的层包含赋予一导电型的杂质元素，以便在之后形成的结晶性高的层中形成沟道形成区域，而不是在微晶半导体膜中的刚开始成膜时形成的结晶性差的层中形成沟道形成区域。并且，将包含杂质元素的层用作沟道形成区域。此外，在用作源区域或漏区域的包含杂质元素的一对半导体膜和用作沟道形成区域的包含杂质元素的层之间设置不包含赋予一导电型的杂质元素的层或者与其他层相比，赋予一导电型的杂质元素的浓度低得多的层。

公开(公告)号：CN101295734A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810090720.6

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置可以以进一步简单的工艺比常规的半导体装置降低结电容且实现低耗电量化。本发明的半导体装置具有基础衬底、形成在基础衬底上的半导体膜、形成在半导体膜上的栅绝缘膜、以及形成在栅绝缘膜上的电极，其中半导体膜具有中间夹着栅绝缘膜与电极重叠的沟道形成区域，在半导体膜所具有的凹部和基础衬底之间形成有空洞，并且沟道形成区域在凹部与空洞接触。

公开(公告)号：CN101179012A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

Abstract: 在热膨胀率为大于6×10－7/℃且38×10－7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为－500N/m以上且+50N/m以下。