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公开(公告)号：CN101017779A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003070.8
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/306 , H01L33/00 , H01L31/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别是一种在InP基片中湿法刻蚀孔或通孔的方法。方法包括利用电化学腐蚀的方法先在通孔位置电化学腐蚀出穿透InP基片电流微孔，微孔腔与InP基片表面垂直，再采用常规化学腐蚀液进行通孔刻蚀；电化学腐蚀形成的与通孔方向一致多孔的InP。另外，提供了这种通孔的金属化填充方法。半导体光电器件，包括：基片、光电器件有源区外延层、金属化填充的导电通孔、背电极金属层、正电极、焊接凸点、以及器件钝化保护层，在掩膜层上采用常规光刻工艺光刻出通孔开口图形，通孔形成在磷化铟InP衬底上，该半导体光电器件结构具有一正表面和一基本与其相对的背表面，光电器件采用倒扣封装模式。
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公开(公告)号：CN119627614A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311188191.4
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S5/028 , C23C16/505 , C23C16/34
Abstract: 本公开提供一种钝化层的制备方法及垂直腔面发射激光器，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底，衬底表面形成有至少一个激光器；在至少一个激光器表面形成第一钝化层，第一钝化层具有第一应力；在第一钝化层远离衬底一侧形成第二钝化层，第二钝化层具有第二应力，第一应力与第二应力之差在预设阈值内。本公开提供的钝化层的制备方法能够提高激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN119208133A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411261719.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开一种TiN薄膜及肖特基栅极金属的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中以Ni作为毫米波器件的栅极接触金属时稳定性差的问题。方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行预处理，得到位于衬底上的目标区域；预处理包括曝光及显影处理；在目标区域制备形成多层金属组分不同的TiN薄膜；多层TiN薄膜中TiN含量由下层至上层逐层减少，TiOxNy与TiO2含量由下层至上层逐层升高；采用该TiN薄膜作为栅极接触金属，相比Ni作为栅极接触金属，TiN的底层粘附性及稳定性更好，同时TiN也避免了氮化硅钝化过程中形成低势垒硅化物导致漏电大的问题，提升了毫米波器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN118412274A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311450648.4
申请日：2023-11-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种SiC刻蚀方法和SiC器件。本发明的SiC刻蚀方法包括如下步骤：S1：在SiC衬底上制备掩膜层并进行图形化；S2：采用电感耦合等离子体对SiC衬底进行刻蚀，刻蚀条件包括：ICP功率为750～800W，RF功率为100～200W，腔体压力为2～2.5Pa，刻蚀气体包括SF6、O2和Ar，刻蚀气体中SF6、O2和Ar之间的气体流量比为(1～2)：(1～3)：(1～3)。本发明的SiC刻蚀方法能够消除SiC刻蚀时产生的微沟槽，从而保证了SiC器件的性能及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118348375A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410378357.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/26 , G06F30/20 , H01L29/16 , H01L29/872 , G06F119/08
Abstract: 本公开提供了一种功率器件的电热特性评估方法，可以应用于功率器件技术领域。该功率器件的电热特性评估方法包括：对功率器件进行全参数测试和可靠性试验评估，得到表征功率器件测试通过的测试结果；利用散热模型和热电仿真模型对测试结果进行验证，得到验证结果，其中，散热模型和热电仿真模型是基于实际结构函数校准得到的，实际结构函数表征功率器件热容随热阻的变化规律；在确定验证结果表征测试结果准确的情况下，利用极限功率循环法确定功率器件在第一极端工况下的短时工作温度；在确定验证结果表征测试结果准确的情况下，利用正常功率循环法确定功率器件在第二极端工况下的长时工作温度。
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公开(公告)号：CN117829059A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311235758.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/367 , G16C60/00
Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS器件仿真的器件模型生成方法，属于集成电路设计技术领域，解决了现有技术中除Si基外的CMOS器件使用标准BSIM模型仿真精度较差的问题。包括使用标准BSIM模型拟合待生成基CMOS器件的电学特征曲线；其中，待生成基为除Si基外的用于制备COMS器件的半导体材料；基于拟合得到的电学特性曲线，确定拟合度不满足设定阈值的部分，进而得到在标准BSIM模型中待修改的原始物理效应模型；基于待生成基CMOS器件中相应于所述待修改的原始物理效应模型的物理效应的特征，修改标准BSIM模型中原始物理效应模型参数，得到更新后物理效应模型，进而得到适用于待生成基CMOS器件设计仿真的新BSIM模型。
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公开(公告)号：CN114843339A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210198004.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/47 , H01L29/739 , H01L21/31
Abstract: 本发明涉及一种非对称沟槽栅IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区(即第一P阱区)上方制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区逸出，提升空穴浓度，从而显著降低器件的正向导通压降，减少通态损耗，显著增强器件的导电能力，同时击穿电压与栅极氧化物电场没有退化。本发明还涉及所述非对称沟槽栅IGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN114843186A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145212.9
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅电力电子器件制备方法，包括：在碳化硅衬底上制备氧化层，并进行氮化处理；对所述氧化层和所述衬底与所述氧化层之间的界面进行氧离子注入；执行后序工艺，形成所述碳化硅电力电子器件。本发明提供的碳化硅电力电子器件制备方法用以解决现有技术中碳化硅电力电子器件存在的高界面态密度和高氧化层缺陷的技术问题。
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公开(公告)号：CN114843185A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145208.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件的制备方法，包括：在碳化硅衬底上制备氧化层；在温度为900℃～1100℃的氧气氛围中进行热退火处理；进行后续工艺，形成所述碳化硅器件。本发明公开的碳化硅器件的制备方法用以解决现有技术中碳化硅器件氧化层及氧化层与碳化硅衬底之间界面的质量不佳的技术问题，实现了提高碳化硅器件氧化层及界面质量，进而提高器件的稳定性和可靠性的技术效果。
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