公开(公告)号：CN117829059A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311235758.9

申请日：2023-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 董泽伟 ,  刘新宇 ,  白云 ,  汤益丹 ,  杨成樾 ,  田晓丽 ,  郝继龙

IPC: G06F30/367 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS器件仿真的器件模型生成方法，属于集成电路设计技术领域，解决了现有技术中除Si基外的CMOS器件使用标准BSIM模型仿真精度较差的问题。包括使用标准BSIM模型拟合待生成基CMOS器件的电学特征曲线；其中，待生成基为除Si基外的用于制备COMS器件的半导体材料；基于拟合得到的电学特性曲线，确定拟合度不满足设定阈值的部分，进而得到在标准BSIM模型中待修改的原始物理效应模型；基于待生成基CMOS器件中相应于所述待修改的原始物理效应模型的物理效应的特征，修改标准BSIM模型中原始物理效应模型参数，得到更新后物理效应模型，进而得到适用于待生成基CMOS器件设计仿真的新BSIM模型。