公开(公告)号：CN119486186A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411583241.3

申请日：2024-11-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建超 ,  魏珂 ,  张昇 ,  何晓强 ,  张睿哲 ,  麻转利 ,  王开宇 ,  郭麟睿 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，所述GaN基HEMT器件的栅介质层为叠层栅介质和单层栅介质中的任意一种，且所述栅介质层包括GeN和GeON介质层中的任意一种。本发明的GaN基HEMT器件，能够有效降低栅介质层的漏电电流，提高器件的耐压能力，而不发生击穿或损坏，并且有助于形成高质量的界面结构，减少界面态对器件性能的不利影响，使其效率和功率性能均得到了显著的提升。因此，本发明不仅拓宽了GaN基HEMT器件栅介质材料的选择范围，更通过精细的材料选择和结构设计，实现了器件性能的显著提升和成本的降低，为GaN基HEMT器件的广泛应用提供了有力支持。

公开(公告)号：CN119208133A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411261719.0

申请日：2024-09-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 武伟超 ,  魏珂 ,  王开宇 ,  闫治国 ,  杨成樾 ,  吴嵩

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明公开一种TiN薄膜及肖特基栅极金属的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中以Ni作为毫米波器件的栅极接触金属时稳定性差的问题。方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行预处理，得到位于衬底上的目标区域；预处理包括曝光及显影处理；在目标区域制备形成多层金属组分不同的TiN薄膜；多层TiN薄膜中TiN含量由下层至上层逐层减少，TiOxNy与TiO2含量由下层至上层逐层升高；采用该TiN薄膜作为栅极接触金属，相比Ni作为栅极接触金属，TiN的底层粘附性及稳定性更好，同时TiN也避免了氮化硅钝化过程中形成低势垒硅化物导致漏电大的问题，提升了毫米波器件的稳定性。

公开(公告)号：CN119815852A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411763499.1

申请日：2024-12-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 闫治国 ,  魏珂 ,  王开宇 ,  王建超 ,  郭麟睿 ,  高新国 ,  刘新宇

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，包括提供基板，基板包括第一表面；在第一表面上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层形成第一开口部，第一开口部暴露第一表面中的部分；在第一光刻胶层背离基板的一侧形成第一金属层；在第一金属层背离基板的一侧表面形成第二光刻胶层；形成贯穿第二光刻胶层、第一金属层的第二开口部，第二开口部在基板上的正投影覆盖并超出第一开口部在基板上的正投影；在第二光刻胶层背离基板的一侧形成第一功能层，去除第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层以及第一功能层中位于第二光刻胶层背离基板一侧的部分，以形成第一功能部。本申请提供的半导体器件的制备方法可制备良率更高的半导体器件。