公开(公告)号：CN102237165A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010162229.7

申请日：2010-04-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  蒲颜 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  武伟超

IPC: H01C17/12

Abstract: 本发明公开了一种与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法，该方法包括：步骤10：在SiC衬底上等离子体增强化学汽相沉积PECVD厚度为的Si3N4隔离介质；步骤20：在Si3N4隔离介质上旋涂光刻胶，并通过光刻、显影形成TaN薄膜电阻图案；步骤30：在预溅射和正式溅射时采用一定比例的气体Ar和N2，同时溅射Ta金属，得到TaN薄膜电阻；步骤40：将光刻胶上的TaN薄膜电阻进行剥离，得到所需要图形上的TaN薄膜电阻。本发明制作的TaN薄膜电阻具有很好的物理和化学稳定性，温度系数小，可靠性高，并且与MMIC工艺具有很好的兼容性。

公开(公告)号：CN119208133A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411261719.0

申请日：2024-09-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 武伟超 ,  魏珂 ,  王开宇 ,  闫治国 ,  杨成樾 ,  吴嵩

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明公开一种TiN薄膜及肖特基栅极金属的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中以Ni作为毫米波器件的栅极接触金属时稳定性差的问题。方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行预处理，得到位于衬底上的目标区域；预处理包括曝光及显影处理；在目标区域制备形成多层金属组分不同的TiN薄膜；多层TiN薄膜中TiN含量由下层至上层逐层减少，TiOxNy与TiO2含量由下层至上层逐层升高；采用该TiN薄膜作为栅极接触金属，相比Ni作为栅极接触金属，TiN的底层粘附性及稳定性更好，同时TiN也避免了氮化硅钝化过程中形成低势垒硅化物导致漏电大的问题，提升了毫米波器件的稳定性。

公开(公告)号：CN119767714A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411683751.8

申请日：2024-11-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 闫治国 ,  魏珂 ,  何晓强 ,  郭嘉奇 ,  武伟超 ,  吴嵩 ,  刘新宇

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D64/62

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件，包括衬底、沟道层、势垒层和源漏功能部，沟道层位于衬底一侧；势垒层位于沟道层背离衬底的一侧；源漏功能部位于势垒层背离衬底的一侧且与势垒层接触，源漏功能部包括间隔设置的源部和漏部，源漏功能部包括沿远离势垒层的方向层叠设置的钛金属层、铝金属层和氮化钛层。本申请提供的半导体器件的良率和可靠性得到显著提升。

公开(公告)号：CN119673764A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311198280.7

申请日：2023-09-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 武伟超 ,  魏珂 ,  张睿哲 ,  王建超 ,  何晓强 ,  张昇 ,  张一川 ,  吴嵩

IPC: H01L21/28 ,  H10D64/27 ,  H10D30/47 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，属于半导体材料技术领域，用于解决现有技术中薄膜层会造成栅帽底部边缘轮廓出现“伞状”外溢，进而影响器件的稳定性的问题。本发明公开了一种改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，所述的方法包括第一光刻层/薄膜层/第三光刻层三层胶结构的制备，所述的薄膜层的材料为Al2O3。本发明的方法将T‑gate器件双层胶匀涂工艺中间层的薄膜层选择为Al2O3，降低了上层光刻胶显影时对薄膜层金属的过快钻蚀，抑制了腐蚀区域两侧外扩的现象，优化了T‑gate器件结构栅帽金属边缘的陡直度情况，改善了T型栅形貌工艺的稳定性，从而提高了T型栅工艺的稳定性。