-
公开(公告)号：CN115146457A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762618.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , H01L21/66 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，包括以下步骤：构建无缺陷和有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，a‑1和a+1，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置；计算构建得到的几种半导体材料结构的能量；采用公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面。本发明通过模拟计算的方式能够快速、准确计算半导体材料中的俘获截面，从而评估半导体材料的抗辐射性能，解决了传统的俘获截面计算过程中实验测试周期长、效率低的问题。
-
公开(公告)号：CN115146385A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778713.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/23 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供一种航天器辐射屏蔽加固的指导方法，包括：构建航天器三维结构的结构模型，对所述结构模型中的多个探测点进行射线跟踪运算，获得数据；输入坐标轴上的范围，确定矩形盒子区域，并划分为均匀的格子区域；输入期望的总剂量上限数据以及每个探测点的剂量数据，将每个探测点的剂量数据从大至小依次作为最大参考剂量，直至以最大参考剂量为上限的各探测点剂量和小于总剂量上限数据，获得加固区域；从格子区域向需要加固的探测点发射一条射线，计算方向向量，判断角度是否位于加固区域内。本发明提供的航天器辐射屏蔽加固的指导方法能够同时对多个探测点进行权衡，从而能够尽量减少加固材料的质量，提高航天器的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115083534A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210769724.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发误差函数选取方法，属于机器学习技术领域。所述方法包括：在训练起始阶段，将原子受力的初始权重大于能量的初始权重，在训练过程中，原子受力的权重由训练起始阶段原子受力的初始权重按指数随训练步数逐渐减小为训练结束时原子受力的最终权重，能量的权重由训练起始阶段能量的初始权重按指数随训练步数逐渐变化为训练结束时能量的最终权重。本发明通过在训练的不同阶段，给予能量和原子受力不同的权重，加快了机器学习力场训练的收敛速度，提高了最终的机器学习模型准确率，为构建准确表征材料各项理化性质的机器学习力场提供了必要基础。
-
公开(公告)号：CN111856237B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010735729.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
-
公开(公告)号：CN108460196B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/08 , G06F119/02 , G06F119/16
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108334706B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/08
Abstract: 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
-
公开(公告)号：CN113189640A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110474710.8
申请日：2021-04-29
Abstract: 本发明涉及一种用于快中子成像的探测器及其校正方法，该探测器从上至下依次包括：第一光电转换器件、第一耦合层、有机闪烁体阵列、第二耦合层和第二光电转换器件；所述有机闪烁体阵列为柱体结构；所述第一耦合层和第二耦合层用于将所述第一光电转换器件、有机闪烁体阵列和第二光电转换器件耦合在一起，所述第一光电转换器件、第二光电转换器件和有机闪烁体阵列的横截面积相同。本发明提供的探测器对快中子具有深度识别能力，解决了快中子探测中轴向位置定位不准确的问题，从而在伴随粒子成像系统中，提高系统的时间分辨率。
-
公开(公告)号：CN108345026B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810136597.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
-
公开(公告)号：CN112629429A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011407050.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种真空和变温环境下整星热变形测量装置、系统及方法，涉及卫星热变形测量技术领域。本发明所述的真空和变温环境下整星热变形测量装置，包括真空罐以及设置在所述真空罐内的石英测试件和激光位移传感器，所述石英测试件适于安装在载荷安装基板上，所述激光位移传感器安装在所述石英测试件上，所述激光位移传感器用于测量所述载荷安装基板的变形量。本发明所述的技术方案，通过在地面模拟真空环境，修正由压力差效应导致的激光测量光路的偏移、由温差引起的惠斯通桥电路平衡点的偏移以及时间漂移，调试出具备真空和变温环境下使用条件的激光位移传感器，提高了激光位移传感器的测量精度，进而有效提高了高分辨率卫星的分辨率。
-
公开(公告)号：CN112356534A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
354
records
(took 0.029 seconds)
