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公开(公告)号：CN117540687A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311610507.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于HiSIM‑HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体器件技术领域。所述自动化检查方法包括：需确定器件类型为N型MOSFET或P型MOSFET；将参数提取得到的参数文件，利用程序进行读取；得到参数名称和对应的参数值，对当前参数值进行判定，参数范围分为两个区间[r1,r2]和[r3,r4]；若当前参数值在区间[r3,r4]内，对是否在区间[r1,r2]内进行判定；若判定在区间[r1,r2]内，则当前参数值正确。实现了对参数提取得到HiSIM‑HV紧凑模型参数进行范围检查，以保证参数的合理性，并实现了对参数提取过程提供有力反馈，并为后续电路设计及芯片制造提供保障。
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公开(公告)号：CN111863608B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN112356534B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
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公开(公告)号：CN115186567A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210769893.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种针对太阳耀斑辐射器件后损伤效应的计算方法，包括：构建飞行器敏感体的结构模型，并对所述结构模型添加球形外壳结构；获得所述太阳质子粒子源的积分能谱或微分能谱，然后将所述积分能谱或所述微分能谱导入求解器，得到所述积分能谱或所述微分能谱辐照所述球形外壳结构后的粒子能谱及累计通量；删除所述球形外壳结构，将所述粒子能谱导入求解器，对所述结构模型进行辐照，得到所述粒子能谱辐照后的所述结构模型的辐射损伤数据；对所述辐射损伤数据进行分析，分析粒子对所述飞行器敏感体的辐射损伤效应。本发明提供的计算方法能够精确模拟在辐射屏蔽层存在条件下太阳耀斑对飞行器敏感体的损伤情况，更加符合真实环境。
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公开(公告)号：CN111766496A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117540682A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311602791.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于BJT器件的Gummel‑Poon模型特征参数的提取方法，涉及双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：设定词法的使用方法；基于设定的词法使用方法，筛选敏感度；基于筛选的敏感度，挑选参数；基于筛选的敏感度以及挑选的参数，计算获得待拟合参数。从而保证了基于拟合参数而建立的模型的精确性。而且整个过程完全可以通过对计算机进行预先设定，实现自动化精确获得。从而提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN111864070B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111863625B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN111766496B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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公开(公告)号：CN115169210A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769955.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06N3/00 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法，包括：在Geant4环境中，通过几何描述标示语言建立半导体器件的结构模型；通过蒙特卡罗方法对辐射粒子入射所述半导体器件的物理过程进行仿真，得出所述半导体器件中的淀积电荷量以及敏感区域电荷收集量数据；通过步骤S2得到的数据计算出所述半导体器件的单粒子翻转效应；根据计算结果对所述半导体器件的抗辐射性能进行评估与优化。本发明提供的灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法步骤简单、易于操作，且计算效率较高，对粒子入射器件过程中的辐射屏蔽分析具有重要意义。
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