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公开(公告)号：CN115186468B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210770273.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种空间综合环境实时量化表征方法、装置及系统，涉及航天航空技术领域。本发明所述的空间综合环境实时量化表征方法，包括：设置仿真参数，其中，所述仿真参数包括仿真开始时刻、仿真结束时刻和仿真步长时间；从所述仿真开始时刻开始到所述仿真结束时刻为止，根据所述仿真步长时间依次累加仿真步长，逐一确定每个仿真时刻的飞行器的空间综合环境；根据所述空间综合环境选取对应的量化表征模型，以确定不同仿真时刻对应的空间综合环境实时量化表征数据。本发明所述的技术方案，可以解决空间综合环境实时量化表征问题，保障飞行安全。
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公开(公告)号：CN117540685A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604047.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：读取第一文件；读取第二文件；基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过；若所述第一文件中的当前参数取值通过，则基于所述第二文件中的警告边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。
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公开(公告)号：CN115206447A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762598.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，涉及硅工艺的模拟技术技术领域。包括如下步骤：构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向单晶硅表面发射，使单晶硅表面发生氧化反应，退火后，得到氧化试样；氧化试样包括氧化层；获取氧化层的结构参数，重复上述步骤，获取并分析氧化层的结构参数，结构参数至少包括Si‑H键、Si‑O‑H键的数目。本发明从微观角度出发，通过模拟湿氧热氧化工艺的方法掌控和分析氧化层中H的存在形式和电子性质，达到经济高效地预测和优化工艺及相应使用器件的目的。
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公开(公告)号：CN115186536A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759852.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能与所述缺陷愈合率之间的关系。本发明在使用分子动力学方法获得缺陷愈合率之后，将愈合率作为输入参数进行半导体器件性能模拟，通过半导体器件的性能直观且准确地表征半导体器件辐照的缺陷愈合率。
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公开(公告)号：CN115186468A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210770273.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种空间综合环境实时量化表征方法、装置及系统，涉及航天航空技术领域。本发明所述的空间综合环境实时量化表征方法，包括：设置仿真参数，其中，所述仿真参数包括仿真开始时刻、仿真结束时刻和仿真步长时间；从所述仿真开始时刻开始到所述仿真结束时刻为止，根据所述仿真步长时间依次累加仿真步长，逐一确定每个仿真时刻的飞行器的空间综合环境；根据所述空间综合环境选取对应的量化表征模型，以确定不同仿真时刻对应的空间综合环境实时量化表征数据。本发明所述的技术方案，可以解决空间综合环境实时量化表征问题，保障飞行安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115130306B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762682.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F18/24 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115249517A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210762591.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法，涉及硅工艺模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，在真空层内添加O2分子，并在高于大气压的状态下采用反应力场分子动力学方法对单晶硅的原子位置进行优化；步骤S2：加热单晶硅至反应温度后，保持恒温恒压，至单晶硅与O2分子充分反应，对模型退火，冷却后优化原子位置，得到氧化样品；氧化样品包括氧化层、次氧化层和硅基底层；步骤S3：获取氧化层和次氧化层的结构特征参数。本发明通过高压提高O2分子浓度加快反应速率，并获取氧化层及次氧化层结构特征参数，有利于研究氧化层与次氧化层界面处的次氧化状态和应力分布。
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公开(公告)号：CN115186462A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762601.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态；步骤S2：加热单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向单晶硅表面发射，至单晶硅表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，得到氧化层；步骤S3：获取并评估氧化层的组织形态参数，若组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到组织形态参数达到预设要求。本发明通过获取的工艺参数指导实际离子注入技术，实现低成本高效率的指导作用。
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公开(公告)号：CN115148309A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778279.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种非光学线性材料性质的模拟计算方法，包括：在材料数据库中进行初步筛选，获得非中心对称的直接带隙半导体材料对其进行结构优化和弛豫；对其进行一轮非自洽计算，计算所述优化材料体系的能带和态密度；对其进行GW计算，获得剪切算符；利用态求和公式计算其二阶非线性光学系数；通过比较二分之一入射光谱频率的节点函数谱和SHG二阶响应张量分析单双光子贡献以及带内带间贡献；利用能带件跃迁矩阵元分析二阶非线性响应起源。本发明通过量子力学的第一性原理方法通过模拟计算方式对符合条件的材料性质进行预测，并根据计算结果深入分析非线性光学响应的起源，能够快速、准确的预测非线性光学材料的性质。
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公开(公告)号：CN115130306A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762682.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06K9/62 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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