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公开(公告)号：CN119439223A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411674249.0
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及辐照监测技术领域，具体提供一种单粒子烧毁区域在线定位系统、辐照终端设备及使用方法，定位系统包括：监测粒子束流强度的束流探测单元、真空控制单元以及显微式快速定位单元，利用粒子加速器产生粒子辐照待测样品，在辐照过程中通过显微式快速定位单元捕获粒子辐照待测样品后，待测样品表面激发的辐射，并对辐射进行波段分离，对多波段辐射进行成像，依据成像数据计算待测样品表面的温度分布，依据温度分布定位单粒子烧毁区域，实现功率器件在辐照过程中的原位在线分析监测。将上述定位系统集成在辐照终端中，解决了传统辐照终端缺乏对待试验样品进行原位在线监测分析的功能，并且同时具有真空辐照模式和大气辐照及单粒子烧毁定位模式。
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公开(公告)号：CN118095182B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410177294.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/0455 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06F119/02
Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。
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公开(公告)号：CN118211482A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410400889.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06N3/006 , G06F119/02
Abstract: 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预测目标选择不同的元器件退化模型，基于测试数据进行构建；可靠性模型构建模块采用麻雀优化算法对元器件退化模型的参数进行优化，采用交互式设置算法对搜索个体数目和搜索迭代次数构建迭代搜索最小化模型，通过迭代搜索最小化模型与实际数据之间的差进行参数拟合的求解，构建获得可靠性模型；可靠性预测模块利用对数正态累计分布函数进行寿命周期预测，获得元器件的可靠性预测结果。用于电子元器件可靠性预测。
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公开(公告)号：CN117373518A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311393061.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明的一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法，涉及一种半导体器件特性优化方法。目的是为了克服现有SONOS型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题，本发明具体步骤如下：步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除；步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程；步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除；并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；是则完成处理；否则返回执行步骤二。
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公开(公告)号：CN111651337B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010378931.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108281480B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201810136624.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
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公开(公告)号：CN108345767B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810135790.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。
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公开(公告)号：CN108345747B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810136616.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体‑绝缘体‑半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3
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公开(公告)号：CN108254668B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810134762.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。方法：计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和入射深度，根据电离和位移吸收剂量的比例关系，设定入射粒子的剂量率，进行先高后低的顺序辐照。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。本发明适用于电子元器件电离辐射损伤机制的分析。
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公开(公告)号：CN106353344B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610911408.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括：利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试，在测试过程中，通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度，获取温度扫描测试曲线，根据温度扫描测试曲线中的信号峰，确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下，针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试，利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷，并能定量分析测试氧化物电荷和界面态，大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。
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