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公开(公告)号：CN108362965B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135822.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00 , H01L21/265
Abstract: 一种基于位移损伤抑制氧化物俘获电荷形成的方法，本发明涉及空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明要解决氧化物俘获正电荷和界面态对电子器件辐射损伤性能的技术问题。方法：确定电子元器件中钝化层距表面最远距离b和最近距离c；计算预辐照入射粒子的射程t1；计算入射粒子在钝化层中电离吸收剂量Id1和位移吸收剂量Dd1；计算log[(Id+Dd)/Dd]值；进行预辐照，确定辐照注入量Φ1；计算电离辐照入射粒子入射深度t2；计算入射粒子在钝化层中的电离吸收剂量Id2和位移吸收剂量Dd2；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]值；进行电离辐照。本发明改变试样中的固有位移缺陷状态，抑制氧化物俘获正电荷的形成，步骤简单，易于操作。本发明应用于电子元器件空间环境效应研究与抗辐照加固技术中。
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公开(公告)号：CN108362965A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810135822.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00 , H01L21/265
Abstract: 一种基于位移损伤抑制氧化物俘获电荷形成的方法，本发明涉及空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明要解决氧化物俘获正电荷和界面态对电子器件辐射损伤性能的技术问题。方法：确定电子元器件中钝化层距表面最远距离b和最近距离c；计算预辐照入射粒子的射程t1；计算入射粒子在钝化层中电离吸收剂量Id1和位移吸收剂量Dd1；计算log[(Id+Dd)/Dd]值；进行预辐照，确定辐照注入量Φ1；计算电离辐照入射粒子入射深度t2；计算入射粒子在钝化层中的电离吸收剂量Id2和位移吸收剂量Dd2；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]值；进行电离辐照。本发明改变试样中的固有位移缺陷状态，抑制氧化物俘获正电荷的形成，步骤简单，易于操作。本发明应用于电子元器件空间环境效应研究与抗辐照加固技术中。
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公开(公告)号：CN108254668A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810134762.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。方法：计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和入射深度，根据电离和位移吸收剂量的比例关系，设定入射粒子的剂量率，进行先高后低的顺序辐照。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。本发明适用于电子元器件电离辐射损伤机制的分析。
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公开(公告)号：CN108254668B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810134762.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。方法：计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和入射深度，根据电离和位移吸收剂量的比例关系，设定入射粒子的剂量率，进行先高后低的顺序辐照。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。本发明适用于电子元器件电离辐射损伤机制的分析。
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