-
公开(公告)号：CN117291135A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311317217.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02 , G06F119/06
Abstract: 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、通过结构参数建立模拟的功率场效应管MOSFET；结构参数包括功率MOSFET的沟道长度、沟道宽度和氧化层厚度；步骤二、对功率MOSFET进行仿真，获取功率MOSFET的漂移阈值电压实际值；步骤三、建立初始预测模型；将结构参数作为初始预测模型的输入参数，漂移阈值电压实际值作为初始预测模型的输出参数，对初始预测模型进行训练、验证和测试，得到可靠性预测模型。
-
公开(公告)号：CN114268276A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111579626.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
-
公开(公告)号：CN109637567B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811554714.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C7/24 , G11C11/413
Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。
-
公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
-
公开(公告)号：CN109860033A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448327B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510786303.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C11/419
Abstract: 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。
-
公开(公告)号：CN117151012A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311312876.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的肖特基势垒二极管的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到肖特基势垒二极管的可靠性参数预测值；步骤二、将可靠性参数预测值与预设的可靠性参数阈值比较，在可靠性参数预测值小于可靠性参数阈值时，判断肖特基势垒二极管在预计工作时长后为可靠。
-
公开(公告)号：CN114236339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
-
公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
-
公开(公告)号：CN113984797A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111301296.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.02 seconds)
