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公开(公告)号：CN104979189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104674187A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102931393B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210460224.1
申请日：2012-11-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M4/505
Abstract: 一种多孔球形结构的锰酸锂正极材料及制备方法，属于锰酸锂正极材料技术领域。多孔球形结构的锰酸锂正极材料由纳米级20-100nm的颗粒堆积而成，所述的球形的球直径为500nm-3μm，所述的孔为平均孔径为20-60nm。制备方法：将NH4HCO3与MnSO4采用乙醇作为沉淀控制剂，生成直径为0.5-3μm的均匀球形碳酸锰沉淀；洗涤得到纯净的球形碳酸锰粉体；在500-800℃下煅烧10-15小时得到多孔球形Mn2O3前驱体粉体；将得到的Mn2O3通过手工研磨、球磨或机械研磨与LiOH混合均匀；在高于上述煅烧温度的700-900℃下煅烧即可。本发明工艺简单，得到了具有明显多孔结构的正极材料。
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公开(公告)号：CN102709381B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210135620.7
申请日：2012-05-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备CIS薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。首先制备油胺包覆的单分散CuInS2纳米晶，然后用吡啶置换纳米晶表面的油胺分子，并分散在氯仿或甲苯中，在镀钼玻璃上进行涂膜，采用固态硒源硒化法对CuInS2纳米晶薄膜进行硒化退火处理以制备大晶粒CuIn(SSe)2薄膜。利用本发明提供的方法可以得到大晶粒的CIS薄膜。本发明属于非真空涂覆制膜工艺，工艺简单，可大规模制备，节约了成本。
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公开(公告)号：CN103691897A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310664316.6
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22D11/06
Abstract: 一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法，属于非晶薄带制备技术领域，采用凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊，在圆柱的顶端向内缺失一倒立的圆锥所得单辊为凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊内侧表面为所述的凹面，凹面直径向内逐渐变小，即缺失的圆锥的底面在圆柱的顶端，熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的凹面转盘式单辊内侧的凹面上，使熔体所受离心力的方向由圆筒式单辊的垂直于接触面向上变为与接触面有夹角并指向接触面内部，在内侧凹面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。本发明制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102936006B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210410794.X
申请日：2012-10-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。
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公开(公告)号：CN103560165A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310413807.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322 , H01L31/03923
Abstract: 一种制备Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池吸收层薄膜的方法，属于太阳能电池吸收层薄膜技术领域。包括如下步骤：（a）空气条件下稳定的前躯体溶液制备（b）采用旋涂法制备前躯体薄膜（c）干燥（d）旋涂多次、干燥（e）最后退火处理。本发明所提供的薄膜制备方法，不需要使用昂贵的原材料和设备，采用硫醇这种易挥发，低碳有机物作为溶剂，可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳，氧元素的引入。各工艺步骤的控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜，其工艺简单，可重复性强，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN103500769A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310412715.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02168 , H01L31/02363
Abstract: 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁，利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构，利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒，利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构，利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内，其表面反射率降低到4%以下，且经过表面化学修饰后，表面接触角大于150°。
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